Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

CRGS2512J3M9

CRGS2512J3M9

частка акцыі: 156366

Супраціўленне: 3.9 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1.5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

CRGS2512J33R

CRGS2512J33R

частка акцыі: 136713

Супраціўленне: 33 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1.5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

CRGS2512J47R

CRGS2512J47R

частка акцыі: 101073

Супраціўленне: 47 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1.5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

CRGS2512J470R

CRGS2512J470R

частка акцыі: 134503

Супраціўленне: 470 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1.5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

CRGS2512J1K5

CRGS2512J1K5

частка акцыі: 166007

Супраціўленне: 1.5 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1.5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

CRGS2512J1R5

CRGS2512J1R5

частка акцыі: 168098

Супраціўленне: 1.5 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1.5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

CRGS2512J2M2

CRGS2512J2M2

частка акцыі: 141094

Супраціўленне: 2.2 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1.5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

CRGS2512J150K

CRGS2512J150K

частка акцыі: 181379

Супраціўленне: 150 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1.5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

CRGS2512J820K

CRGS2512J820K

частка акцыі: 144479

Супраціўленне: 820 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1.5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

CRGS2512J5M6

CRGS2512J5M6

частка акцыі: 159288

Супраціўленне: 5.6 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1.5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

CRGS2512J2R7

CRGS2512J2R7

частка акцыі: 167774

Супраціўленне: 2.7 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1.5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

CRGS2512J220K

CRGS2512J220K

частка акцыі: 107988

Супраціўленне: 220 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1.5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

CRGS2512J33K

CRGS2512J33K

частка акцыі: 135699

Супраціўленне: 33 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1.5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

CRGS2512J6R8

CRGS2512J6R8

частка акцыі: 193300

Супраціўленне: 6.8 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1.5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

RN73C1J10RBTD

RN73C1J10RBTD

частка акцыі: 133438

Супраціўленне: 10 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A28KBTD

RN73C2A28KBTD

частка акцыі: 162435

Супраціўленне: 28 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RP73D2B274RBTD

RP73D2B274RBTD

частка акцыі: 136946

Супраціўленне: 274 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±15ppm/°C,

CRGS2010J2M7

CRGS2010J2M7

частка акцыі: 128605

Супраціўленне: 2.7 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.75W, 3/4W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

CRGS2010J390K

CRGS2010J390K

частка акцыі: 116539

Супраціўленне: 390 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.75W, 3/4W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

CRGS2010J12K

CRGS2010J12K

частка акцыі: 138921

Супраціўленне: 12 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.75W, 3/4W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

CRGS2010J1M0

CRGS2010J1M0

частка акцыі: 118830

Супраціўленне: 1 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.75W, 3/4W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

CRGS2010J5M6

CRGS2010J5M6

частка акцыі: 129568

Супраціўленне: 5.6 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.75W, 3/4W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

CRGS2010J3K3

CRGS2010J3K3

частка акцыі: 151127

Супраціўленне: 3.3 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.75W, 3/4W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

CRGS2010J33R

CRGS2010J33R

частка акцыі: 118028

Супраціўленне: 33 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.75W, 3/4W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

CRGS2010J22R

CRGS2010J22R

частка акцыі: 159775

Супраціўленне: 22 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.75W, 3/4W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

CRGS2010J180K

CRGS2010J180K

частка акцыі: 184049

Супраціўленне: 180 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.75W, 3/4W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

CRGS2010J39R

CRGS2010J39R

частка акцыі: 162779

Супраціўленне: 39 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.75W, 3/4W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

CRGS2010J3R9

CRGS2010J3R9

частка акцыі: 136457

Супраціўленне: 3.9 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.75W, 3/4W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

CRGS2010J47R

CRGS2010J47R

частка акцыі: 176141

Супраціўленне: 47 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.75W, 3/4W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

CRGS2010J220K

CRGS2010J220K

частка акцыі: 122701

Супраціўленне: 220 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.75W, 3/4W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

CRGS2010J47K

CRGS2010J47K

частка акцыі: 173439

Супраціўленне: 47 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.75W, 3/4W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

CRGS2010J1R5

CRGS2010J1R5

частка акцыі: 108889

Супраціўленне: 1.5 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.75W, 3/4W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

CRGS2010J1R0

CRGS2010J1R0

частка акцыі: 165621

Супраціўленне: 1 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.75W, 3/4W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

CRGS2010J68R

CRGS2010J68R

частка акцыі: 185275

Супраціўленне: 68 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.75W, 3/4W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

CRGS2010J100R

CRGS2010J100R

частка акцыі: 198281

Супраціўленне: 100 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.75W, 3/4W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

CRGS2010J8K2

CRGS2010J8K2

частка акцыі: 165945

Супраціўленне: 8.2 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.75W, 3/4W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,