Фіксаваныя індуктыўнасці

TFM201610ALM-1R0MTAA

TFM201610ALM-1R0MTAA

частка акцыі: 103927

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 3.1A, Ток - насычэнне: 4.3A,

VLS6045EX-1R0N

VLS6045EX-1R0N

частка акцыі: 104116

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 6A, Ток - насычэнне: 12A,

MHQ0603P1N0BTD25

MHQ0603P1N0BTD25

частка акцыі: 109

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 1A,

MLG0603S2N4ST000

MLG0603S2N4ST000

частка акцыі: 170618

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.4nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 300mA,

VLS252015ET-3R3M

VLS252015ET-3R3M

частка акцыі: 145655

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.05A, Ток - насычэнне: 1.2A,

TFM201610ALM-2R2MTAA

TFM201610ALM-2R2MTAA

частка акцыі: 139085

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.9A, Ток - насычэнне: 2.6A,

VLS6045EX-330M

VLS6045EX-330M

частка акцыі: 103155

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 33µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.5A, Ток - насычэнне: 1.9A,

VLS252010CX-R68M-1

VLS252010CX-R68M-1

частка акцыі: 167

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 680nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.62A, Ток - насычэнне: 2.52A,

VLS6045EX-101M

VLS6045EX-101M

частка акцыі: 194055

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 100µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 900mA, Ток - насычэнне: 1.1A,

VLS252010CX-1R0M-1

VLS252010CX-1R0M-1

частка акцыі: 13209

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.29A, Ток - насычэнне: 2.25A,

MHQ0603P3N7BTD25

MHQ0603P3N7BTD25

частка акцыі: 84

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.7nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 450mA,

VLS252012CX-1R0M-1

VLS252012CX-1R0M-1

частка акцыі: 83

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.55A, Ток - насычэнне: 2.38A,

VLS252010ET-6R8M

VLS252010ET-6R8M

частка акцыі: 105004

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 6.8µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 680mA, Ток - насычэнне: 680mA,

MHQ0603P2N2BTD25

MHQ0603P2N2BTD25

частка акцыі: 129

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.2nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 700mA,

VLS5045EX-100M

VLS5045EX-100M

частка акцыі: 178768

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.5A, Ток - насычэнне: 3.1A,

MHQ0603P5N6HTD25

MHQ0603P5N6HTD25

частка акцыі: 147

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 5.6nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 350mA,

MHQ0603P10NHTD25

MHQ0603P10NHTD25

частка акцыі: 66

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 10nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 240mA,

VLS201610ET-4R7M

VLS201610ET-4R7M

частка акцыі: 168111

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 640mA, Ток - насычэнне: 640mA,

VLS6045EX-3R0N

VLS6045EX-3R0N

частка акцыі: 154000

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 3µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 5A,

VLS201610ET-100M

VLS201610ET-100M

частка акцыі: 117638

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 400mA, Ток - насычэнне: 400mA,

MHQ0603P1N9BTD25

MHQ0603P1N9BTD25

частка акцыі: 114

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.9nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 700mA,

MHQ0603P1N7BTD25

MHQ0603P1N7BTD25

частка акцыі: 79

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.7nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 800mA,

VLS2012ET-3R3M

VLS2012ET-3R3M

частка акцыі: 186627

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 840mA, Ток - насычэнне: 840mA,

MHQ0603P0N8BTD25

MHQ0603P0N8BTD25

частка акцыі: 99

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 0.8nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 1A,

VLS6045EX-151M

VLS6045EX-151M

частка акцыі: 194791

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 150µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 700mA, Ток - насычэнне: 900mA,

MHQ0603P2N7BTD25

MHQ0603P2N7BTD25

частка акцыі: 117

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.7nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 500mA,

VLS6045EX-221M

VLS6045EX-221M

частка акцыі: 122242

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 220µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 500mA, Ток - насычэнне: 800mA,

VLS5045EX-6R8M

VLS5045EX-6R8M

частка акцыі: 133626

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 6.8µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.9A, Ток - насычэнне: 3.6A,

VLS5045EX-1R0N

VLS5045EX-1R0N

частка акцыі: 128682

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 5.1A, Ток - насычэнне: 8.9A,

VLS252012CX-6R8M-1

VLS252012CX-6R8M-1

частка акцыі: 13243

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 6.8µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.02A, Ток - насычэнне: 1A,

VLS252008ET-3R3M

VLS252008ET-3R3M

частка акцыі: 184737

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 700mA, Ток - насычэнне: 730mA,

MHQ0603P0N7BTD25

MHQ0603P0N7BTD25

частка акцыі: 153

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 0.7nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 1A,

MHQ0603P1N6BTD25

MHQ0603P1N6BTD25

частка акцыі: 158

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.6nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 800mA,

VLS252008ET-1R5N

VLS252008ET-1R5N

частка акцыі: 179683

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1.5µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 910mA, Ток - насычэнне: 1A,

VLS252010CX-3R3M-1

VLS252010CX-3R3M-1

частка акцыі: 8667

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.25A, Ток - насычэнне: 1.3A,

VLS201610ET-2R2M

VLS201610ET-2R2M

частка акцыі: 138877

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 940mA, Ток - насычэнне: 940mA,