Фіксаваныя індуктыўнасці

LAL04KBR82M

LAL04KBR82M

частка акцыі: 4554

Індуктыўнасць: 820nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 980mA,

LAV35VB561J

LAV35VB561J

частка акцыі: 4762

Індуктыўнасць: 560µH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 75mA,

LAN02KR220J

LAN02KR220J

частка акцыі: 4656

Індуктыўнасць: 22µH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 235mA,

LAN02TAR12K

LAN02TAR12K

частка акцыі: 4734

Індуктыўнасць: 120nH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 850mA,

LAP02KR121K

LAP02KR121K

частка акцыі: 4720

Індуктыўнасць: 120µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 42mA,

LHLC06TB150K

LHLC06TB150K

частка акцыі: 4953

Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 15µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 1A,

LHL06NB182J

LHL06NB182J

частка акцыі: 4875

Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1.8mH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 51mA,

LAN02TAR39K

LAN02TAR39K

частка акцыі: 9527

Індуктыўнасць: 390nH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 640mA,

LAL02VD820K

LAL02VD820K

частка акцыі: 4381

Індуктыўнасць: 82µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 46mA,

LHLC06NB100K

LHLC06NB100K

частка акцыі: 4902

Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 1.2A,

LAL03TBR47M

LAL03TBR47M

частка акцыі: 4501

Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 330mA,

LAL04KB101K

LAL04KB101K

частка акцыі: 4587

Індуктыўнасць: 100µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 275mA,

LAP02KR2R7K

LAP02KR2R7K

частка акцыі: 4691

Індуктыўнасць: 2.7µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 220mA,

LEMF2520T4R7M

LEMF2520T4R7M

частка акцыі: 4779

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 210mA,

LAL04SK1R0M

LAL04SK1R0M

частка акцыі: 4635

Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 920mA,

LHF15BB820K

LHF15BB820K

частка акцыі: 4837

Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 82µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 3.2A,

LAV35VB221J

LAV35VB221J

частка акцыі: 4731

Індуктыўнасць: 220µH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 120mA,

LAL02VD560K

LAL02VD560K

частка акцыі: 9445

Індуктыўнасць: 56µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 68mA,

LAL03TB271K

LAL03TB271K

частка акцыі: 4516

Індуктыўнасць: 270µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 65mA,

LAL03KHR47M

LAL03KHR47M

частка акцыі: 4478

Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 330mA,

LAV35VBR47M

LAV35VBR47M

частка акцыі: 4799

Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 910mA,

LAN02KR5R6J

LAN02KR5R6J

частка акцыі: 4706

Індуктыўнасць: 5.6µH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 320mA,

LAN02TAR15K

LAN02TAR15K

частка акцыі: 4694

Індуктыўнасць: 150nH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 800mA,

LAL04TB471K

LAL04TB471K

частка акцыі: 4686

Індуктыўнасць: 470µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 126mA,

LEM2520T470J

LEM2520T470J

частка акцыі: 4777

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 47µH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 80mA,

LAP02TA330K

LAP02TA330K

частка акцыі: 4757

Індуктыўнасць: 33µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 76mA,

LAL04KB102K

LAL04KB102K

частка акцыі: 4625

Індуктыўнасць: 1mH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 100mA,

LAL03TA270K

LAL03TA270K

частка акцыі: 4426

Індуктыўнасць: 27µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 125mA,

LAL03KH5R6K

LAL03KH5R6K

частка акцыі: 4463

Індуктыўнасць: 5.6µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 180mA,

LAV35VBR82M

LAV35VBR82M

частка акцыі: 4786

Індуктыўнасць: 820nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 820mA,

LHL06NB471K

LHL06NB471K

частка акцыі: 4828

Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 470µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 100mA,

LEMC2520T330K

LEMC2520T330K

частка акцыі: 4806

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 33µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 120mA,

LAL04NA470K

LAL04NA470K

частка акцыі: 4590

Індуктыўнасць: 47µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 340mA,

LHLC06TB820K

LHLC06TB820K

частка акцыі: 4904

Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 82µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 480mA,

LAL04TB271K

LAL04TB271K

частка акцыі: 4651

Індуктыўнасць: 270µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 145mA,

LAP02KRR22K

LAP02KRR22K

частка акцыі: 9558

Індуктыўнасць: 220nH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 400mA,