Фіксаваныя індуктыўнасці

LAL04SK3R3K

LAL04SK3R3K

частка акцыі: 4672

Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 670mA,

LAN02TAR33K

LAN02TAR33K

частка акцыі: 4724

Індуктыўнасць: 330nH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 660mA,

LAP02KR4R7K

LAP02KR4R7K

частка акцыі: 4698

Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 190mA,

LAL02VD2R7K

LAL02VD2R7K

частка акцыі: 4374

Індуктыўнасць: 2.7µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 220mA,

LAP02TA221K

LAP02TA221K

частка акцыі: 4775

Індуктыўнасць: 220µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 35mA,

LHF15BB680K

LHF15BB680K

частка акцыі: 9511

Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 68µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 3.5A,

LAL03TA330K

LAL03TA330K

частка акцыі: 4417

Індуктыўнасць: 33µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 120mA,

LAL03KH1R8M

LAL03KH1R8M

частка акцыі: 4416

Індуктыўнасць: 1.8µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 240mA,

LEM2520TR33K

LEM2520TR33K

частка акцыі: 4842

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 330nH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 400mA,

LAL04TB391J

LAL04TB391J

частка акцыі: 4620

Індуктыўнасць: 390µH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 133mA,

LAL03NA8R2K

LAL03NA8R2K

частка акцыі: 4445

Індуктыўнасць: 8.2µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 165mA,

LAL03TB681K

LAL03TB681K

частка акцыі: 9536

Індуктыўнасць: 680µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 45mA,

LAL04SK150K

LAL04SK150K

частка акцыі: 4664

Індуктыўнасць: 15µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 460mA,

LAL04KB120K

LAL04KB120K

частка акцыі: 4602

Індуктыўнасць: 12µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 480mA,

LAL03TB561K

LAL03TB561K

частка акцыі: 4475

Індуктыўнасць: 560µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 50mA,

LHL06TB680K

LHL06TB680K

частка акцыі: 4898

Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 68µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 245mA,

LAL03NAR22M

LAL03NAR22M

частка акцыі: 4439

Індуктыўнасць: 220nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 400mA,

LAL03VB1R8M

LAL03VB1R8M

частка акцыі: 4553

Індуктыўнасць: 1.8µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 240mA,

LAL03TB151K

LAL03TB151K

частка акцыі: 4429

Індуктыўнасць: 150µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 85mA,

LAL04TB121J

LAL04TB121J

частка акцыі: 4666

Індуктыўнасць: 120µH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 185mA,

LAN02KRR82K

LAN02KRR82K

частка акцыі: 4656

Індуктыўнасць: 820nH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 520mA,

LAV35VB331J

LAV35VB331J

частка акцыі: 4772

Індуктыўнасць: 330µH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 95mA,

LEM2520T120J

LEM2520T120J

частка акцыі: 4777

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 12µH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 150mA,

LHL16NB151K

LHL16NB151K

частка акцыі: 4860

Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 150µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 2.4A,

LEM2520TR47J

LEM2520TR47J

частка акцыі: 4845

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 350mA,

LEM2520T101J

LEM2520T101J

частка акцыі: 4822

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 100µH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 60mA,

LHL06TB2R2M

LHL06TB2R2M

частка акцыі: 4876

Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 610mA,

LEM2520T330J

LEM2520T330J

частка акцыі: 4776

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 33µH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 110mA,

LHLC06TB1R5M

LHLC06TB1R5M

частка акцыі: 10041

Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1.5µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.1A,

LAP02KRR47K

LAP02KRR47K

частка акцыі: 4730

Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 330mA,

LEM2520T150J

LEM2520T150J

частка акцыі: 4776

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 15µH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 140mA,

LHL06NB821K

LHL06NB821K

частка акцыі: 4866

Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 820µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 75mA,

LHLC06TB100K

LHLC06TB100K

частка акцыі: 4937

Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 1.2A,

LAL03VB820K

LAL03VB820K

частка акцыі: 4526

Індуктыўнасць: 82µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 95mA,

LAL03KH3R9K

LAL03KH3R9K

частка акцыі: 4415

Індуктыўнасць: 3.9µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 200mA,

LAL04KBR47M

LAL04KBR47M

частка акцыі: 9484

Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.15A,