Дыёды - моставыя выпрамнікі

TS35P06GHD2G

TS35P06GHD2G

частка акцыі: 123

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 17.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 800V,

GBU1001 D2G

GBU1001 D2G

частка акцыі: 164

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 10A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 50V,

SBS36HRGG

SBS36HRGG

частка акцыі: 129

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 500mV @ 3A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500µA @ 60V,

SBS24 REG

SBS24 REG

частка акцыі: 139

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 500mV @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100µA @ 40V,

GBPC3501M T0G

GBPC3501M T0G

частка акцыі: 113

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 17.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 100V,

GBL207 D2G

GBL207 D2G

частка акцыі: 102

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

DBLS206GHC1G

DBLS206GHC1G

частка акцыі: 154

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 800V,

GBL204HD2G

GBL204HD2G

частка акцыі: 79

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

GBPC1501W T0G

GBPC1501W T0G

частка акцыі: 103

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 7.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 100V,

DBLS154GHC1G

DBLS154GHC1G

частка акцыі: 118

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 400V,

DBLS152G RDG

DBLS152G RDG

частка акцыі: 131

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 100V,

TS25P06GHD2G

TS25P06GHD2G

частка акцыі: 79

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 25A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 800V,

DBL207GHC1G

DBL207GHC1G

частка акцыі: 158

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 1000V,

TS4K60HD3G

TS4K60HD3G

частка акцыі: 131

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 600V,

TS50P05GHD2G

TS50P05GHD2G

частка акцыі: 69

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 50A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 25A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 600V,

SBS25 RGG

SBS25 RGG

частка акцыі: 94

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 500mV @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100µA @ 50V,

DBLS203G C1G

DBLS203G C1G

частка акцыі: 176

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 200V,

TS4K80HD3G

TS4K80HD3G

частка акцыі: 114

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 800V,

HDBLS106G C1G

HDBLS106G C1G

частка акцыі: 158

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

MBS6HRCG

MBS6HRCG

частка акцыі: 107

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 500mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 400mA, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

DBLS105GHRDG

DBLS105GHRDG

частка акцыі: 133

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 600V,

DBLS155G C1G

DBLS155G C1G

частка акцыі: 101

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 600V,

GBU405HD2G

GBU405HD2G

частка акцыі: 146

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

DBLS157G C1G

DBLS157G C1G

частка акцыі: 99

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 1000V,

DBLS107G C1G

DBLS107G C1G

частка акцыі: 136

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 1000V,

EABS1D RGG

EABS1D RGG

частка акцыі: 160

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 200V,

DBLS101G RDG

DBLS101G RDG

частка акцыі: 105

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 50V,

GBPC4001M T0G

GBPC4001M T0G

частка акцыі: 148

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 20A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1000V,

D2SB05 D2G

D2SB05 D2G

частка акцыі: 140

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 50V,

TS8P01GHD2G

TS8P01GHD2G

частка акцыі: 134

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 8A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 50V,

GBPC2502M T0G

GBPC2502M T0G

частка акцыі: 122

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 12.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

TS8P03G D2G

TS8P03G D2G

частка акцыі: 171

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 8A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 200V,

SBS24HREG

SBS24HREG

частка акцыі: 157

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 500mV @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100µA @ 40V,

HDBLS104G RDG

HDBLS104G RDG

частка акцыі: 145

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

HDBLS105G RDG

HDBLS105G RDG

частка акцыі: 167

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

GBPC15005W T0G

GBPC15005W T0G

частка акцыі: 166

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 7.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 50V,