Дыёды - моставыя выпрамнікі

SBS26 REG

SBS26 REG

частка акцыі: 86

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50µA @ 60V,

DBLS156G RDG

DBLS156G RDG

частка акцыі: 119

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 800V,

DBL157GHC1G

DBL157GHC1G

частка акцыі: 134

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 1000V,

DBLS209GHC1G

DBLS209GHC1G

частка акцыі: 121

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.4kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 1400V,

GBU1002 D2G

GBU1002 D2G

частка акцыі: 94

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 10A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 100V,

TS35P07G D2G

TS35P07G D2G

частка акцыі: 157

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 17.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1000V,

DBL208GHC1G

DBL208GHC1G

частка акцыі: 101

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.2kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 1200V,

GBU402HD2G

GBU402HD2G

частка акцыі: 126

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 100V,

D2SB10HD2G

D2SB10HD2G

частка акцыі: 91

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 100V,

DBLS159G C1G

DBLS159G C1G

частка акцыі: 129

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.4kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 1400V,

GBPC35005 T0G

GBPC35005 T0G

частка акцыі: 120

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 17.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 50V,

RDBLS207GHRDG

RDBLS207GHRDG

частка акцыі: 166

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 1000V,

GBU1001HD2G

GBU1001HD2G

частка акцыі: 106

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 10A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 50V,

GBL203HD2G

GBL203HD2G

частка акцыі: 119

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

TS35P05GHD2G

TS35P05GHD2G

частка акцыі: 88

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 17.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 600V,

DBL156GHC1G

DBL156GHC1G

частка акцыі: 152

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 800V,

GBPC5001M T0G

GBPC5001M T0G

частка акцыі: 92

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 50A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 25A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 100V,

TS10P07G C2G

TS10P07G C2G

частка акцыі: 76

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 10A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1000V,

TS8P04G D2G

TS8P04G D2G

частка акцыі: 173

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 8A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 400V,

DBL205G C1G

DBL205G C1G

частка акцыі: 173

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 600V,

TS10K40HD3G

TS10K40HD3G

частка акцыі: 88

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 10A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 400V,

TS8P07G D2G

TS8P07G D2G

частка акцыі: 81

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 8A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1000V,

DBLS154G RDG

DBLS154G RDG

частка акцыі: 136

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 400V,

DBL209GHC1G

DBL209GHC1G

частка акцыі: 162

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.4kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 1400V,

DBL159GHC1G

DBL159GHC1G

частка акцыі: 109

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.4kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 1400V,

TS15PL06G D2G

TS15PL06G D2G

частка акцыі: 162

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 930mV @ 7.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

SBS34 RGG

SBS34 RGG

частка акцыі: 165

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 500mV @ 3A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500µA @ 40V,

GBPC15005 T0G

GBPC15005 T0G

частка акцыі: 80

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 7.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 50V,

TS8P02GHD2G

TS8P02GHD2G

частка акцыі: 135

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 8A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 100V,

GBU606HD2G

GBU606HD2G

частка акцыі: 108

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 6A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

SBS36 RGG

SBS36 RGG

частка акцыі: 117

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 500mV @ 3A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500µA @ 60V,

TS25P07G C2G

TS25P07G C2G

частка акцыі: 125

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 25A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1000V,

DBL152GHC1G

DBL152GHC1G

частка акцыі: 96

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 100V,

GBPC2506W T0G

GBPC2506W T0G

частка акцыі: 96

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 12.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

GBU603HD2G

GBU603HD2G

частка акцыі: 150

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 6A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

GBPC4008 T0G

GBPC4008 T0G

частка акцыі: 95

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 20A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 800V,