Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя
HT14G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation

HT14G A1G

частка акцыі: 103

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 300V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў
MBRF7100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF7100HC0G

частка акцыі: 147

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 7.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 7.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SFAF802G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF802G C0G

частка акцыі: 124

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 35ns,

Ліст з жаданняў
MBRF1690HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1690HC0G

частка акцыі: 156

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 90V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 16A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 850mV @ 16A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SFAF2003G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF2003G C0G

частка акцыі: 115

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 975mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 35ns,

Ліст з жаданняў
SFAF801GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF801GHC0G

частка акцыі: 85

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 35ns,

Ліст з жаданняў
S1GLS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1GLS RVG

частка акцыі: 99

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 1.2A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SFF1002GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1002GHC0G

частка акцыі: 74

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 975mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 35ns,

Ліст з жаданняў
HERA803G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERA803G C0G

частка акцыі: 153

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў
SFAF806GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF806GHC0G

частка акцыі: 87

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 35ns,

Ліст з жаданняў
MBRF1050HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1050HC0G

частка акцыі: 97

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SS115LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS115LS RVG

частка акцыі: 86

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SFAS804GHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAS804GHMNG

частка акцыі: 86

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 35ns,

Ліст з жаданняў
SFAF1002GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1002GHC0G

частка акцыі: 98

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 975mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 35ns,

Ліст з жаданняў
SFF1608G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1608G C0G

частка акцыі: 145

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 16A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 35ns,

Ліст з жаданняў
RS1DFS MXG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1DFS MXG

частка акцыі: 120

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 150ns,

Ліст з жаданняў
UGF12JDHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF12JDHC0G

частка акцыі: 66

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 12A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 3.1V @ 12A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 45ns,

Ліст з жаданняў
MUR160A A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR160A A0G

частка акцыі: 138

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў
HERA804G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERA804G C0G

частка акцыі: 69

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 300V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў
SFF508G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF508G C0G

частка акцыі: 160

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 2.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 35ns,

Ліст з жаданняў
HERAF1008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERAF1008G C0G

частка акцыі: 163

Дыёдны тып: Standard, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 80ns,

Ліст з жаданняў
SFF2003G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF2003G C0G

частка акцыі: 119

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 975mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 35ns,

Ліст з жаданняў
SFAF2008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF2008G C0G

частка акцыі: 86

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 35ns,

Ліст з жаданняў
LSR103 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

LSR103 L0G

частка акцыі: 138

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
UGA15120HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGA15120HC0G

частка акцыі: 110

Дыёдны тып: Standard, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.9V @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 65ns,

Ліст з жаданняў
SFF1007GA C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1007GA C0G

частка акцыі: 85

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 500V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 35ns,

Ліст з жаданняў
MBR1635HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1635HC0G

частка акцыі: 145

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 16A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 630mV @ 16A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SFAF1008GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1008GHC0G

частка акцыі: 90

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 35ns,

Ліст з жаданняў
SFF2002GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF2002GHC0G

частка акцыі: 74

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 975mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 35ns,

Ліст з жаданняў
S1DLS RQG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1DLS RQG

частка акцыі: 117

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 1.2A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SFF2004GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF2004GHC0G

частка акцыі: 107

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 975mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 35ns,

Ліст з жаданняў
MBRF790 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF790 C0G

частка акцыі: 151

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 90V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 7.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 7.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRF1635HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1635HC0G

частка акцыі: 137

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 16A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 630mV @ 16A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRF1035 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1035 C0G

частка акцыі: 156

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
S1GLSHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1GLSHRQG

частка акцыі: 118

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 1.2A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRF760 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF760 C0G

частка акцыі: 155

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 7.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 7.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў