Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя
MTZJ4V7SC R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ4V7SC R0G

частка акцыі: 176

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.81V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V,

Ліст з жаданняў
TSZL52C11 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C11 RWG

частка акцыі: 207

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 8.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MTZJ5V6SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ5V6SB R0G

частка акцыі: 166

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.59V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 60 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 2.5V,

Ліст з жаданняў
UDZS16B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

UDZS16B RRG

частка акцыі: 253

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 45nA @ 12V,

Ліст з жаданняў
MTZJ6V8SC R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ6V8SC R0G

частка акцыі: 237

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.84V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 3.5V,

Ліст з жаданняў
MTZJ13SC R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ13SC R0G

частка акцыі: 202

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13.33V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 35 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 200nA @ 10V,

Ліст з жаданняў
MTZJ20SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ20SA R0G

частка акцыі: 196

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18.49V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 200nA @ 15V,

Ліст з жаданняў
MTZJ33SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ33SA R0G

частка акцыі: 173

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 30.45V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 65 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 200nA @ 25V,

Ліст з жаданняў
TSZL52C13 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C13 RWG

частка акцыі: 209

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 10V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
ZM4746A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4746A L0G

частка акцыі: 194

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 13.7V,

Ліст з жаданняў
MTZJ47S R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ47S R0G

частка акцыі: 206

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 46.5V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 200nA @ 36V,

Ліст з жаданняў
ZM4739A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4739A L0G

частка акцыі: 232

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 7V,

Ліст з жаданняў
TSZL52C10 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C10 RWG

частка акцыі: 205

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 7.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MTZJ20SD R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ20SD R0G

частка акцыі: 235

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20.22V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 200nA @ 15V,

Ліст з жаданняў
MTZJ5V6SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ5V6SA R0G

частка акцыі: 228

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.42V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 60 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 2.5V,

Ліст з жаданняў
MTZJ43S R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ43S R0G

частка акцыі: 204

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 42.5V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 200nA @ 33V,

Ліст з жаданняў
MTZJ18SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ18SB R0G

частка акцыі: 219

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 17.26V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 45 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 200nA @ 13V,

Ліст з жаданняў
ZM4730A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4730A L0G

частка акцыі: 201

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.9V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 9 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50µA @ 1V,

Ліст з жаданняў
TSZL52C15 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C15 RWG

частка акцыі: 179

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 11V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MTZJ6V2SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ6V2SA R0G

частка акцыі: 162

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.94V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 60 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 3V,

Ліст з жаданняў
MMSZ5231B RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

MMSZ5231B RHG

частка акцыі: 208

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 17 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 2V,

Ліст з жаданняў
ZM4747A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4747A L0G

частка акцыі: 166

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 22 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 15.2V,

Ліст з жаданняў
TSZL52C9V1 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C9V1 RWG

частка акцыі: 156

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MTZJ2V0SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ2V0SA R0G

частка акцыі: 206

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 1.99V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 120µA @ 500mV,

Ліст з жаданняў
MTZJ22SC R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ22SC R0G

частка акцыі: 197

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 21.63V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 200nA @ 17V,

Ліст з жаданняў
MTZJ24SC R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ24SC R0G

частка акцыі: 211

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 23.72V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 35 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 200nA @ 19V,

Ліст з жаданняў
MMSZ5241B RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

MMSZ5241B RHG

частка акцыі: 219

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 22 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 8.4V,

Ліст з жаданняў
MTZJ3V3SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ3V3SA R0G

частка акцыі: 203

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.27V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 120 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 20µA @ 1V,

Ліст з жаданняў
UDZS6V8B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

UDZS6V8B RRG

частка акцыі: 167

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.8V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1.8µA @ 4V,

Ліст з жаданняў
MTZJ12SC R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ12SC R0G

частка акцыі: 252

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12.05V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 200nA @ 9V,

Ліст з жаданняў
ZM4745A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4745A L0G

частка акцыі: 216

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 16 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 12.2V,

Ліст з жаданняў
TSZL52C12 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C12 RWG

частка акцыі: 183

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 9V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMSZ5252B RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

MMSZ5252B RHG

частка акцыі: 171

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 33 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 18V,

Ліст з жаданняў
UDZS24B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

UDZS24B RRG

частка акцыі: 211

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 45nA @ 19V,

Ліст з жаданняў
ZM4751A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4751A L0G

частка акцыі: 182

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 30V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 22.8V,

Ліст з жаданняў
MTZJ15SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ15SB R0G

частка акцыі: 179

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 14.26V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 200nA @ 11V,

Ліст з жаданняў