Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

BZY55B2V4 RYG

BZY55B2V4 RYG

частка акцыі: 228

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.4V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 85 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 10mA,

BZY55C4V7 RYG

BZY55C4V7 RYG

частка акцыі: 228

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 10mA,

BZS55B36 RXG

BZS55B36 RXG

частка акцыі: 261

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 36V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 27V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 10mA,

BZS55B30 RXG

BZS55B30 RXG

частка акцыі: 225

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 30V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 22V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 10mA,

BZS55B12 RXG

BZS55B12 RXG

частка акцыі: 246

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 9.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 10mA,

BZY55B3V0 RYG

BZY55B3V0 RYG

частка акцыі: 233

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 85 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 4µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 10mA,

BZY55B11 RYG

BZY55B11 RYG

частка акцыі: 260

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 8.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 10mA,

BZY55C6V2 RYG

BZY55C6V2 RYG

частка акцыі: 230

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 10mA,

BZY55B13 RYG

BZY55B13 RYG

частка акцыі: 225

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 26 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 10V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 10mA,

BZS55B4V3 RXG

BZS55B4V3 RXG

частка акцыі: 269

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.3V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 10mA,

BZS55B6V2 RXG

BZS55B6V2 RXG

частка акцыі: 215

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.2V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 10mA,

BZS55B2V4 RXG

BZS55B2V4 RXG

частка акцыі: 197

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.4V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 85 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 10mA,

BZS55C3V0 RXG

BZS55C3V0 RXG

частка акцыі: 199

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 85 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 4µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 10mA,

BZY55B20 RYG

BZY55B20 RYG

частка акцыі: 251

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 15V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 10mA,

BZS55C12 RXG

BZS55C12 RXG

частка акцыі: 271

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 9.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 10mA,

BZS55B22 RXG

BZS55B22 RXG

частка акцыі: 277

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 16V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 10mA,

BZY55C5V1 RYG

BZY55C5V1 RYG

частка акцыі: 187

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 50 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 10mA,

BZY55B33 RYG

BZY55B33 RYG

частка акцыі: 219

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 24V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 10mA,

BZY55C33 RYG

BZY55C33 RYG

частка акцыі: 257

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 24V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 10mA,

BZY55B22 RYG

BZY55B22 RYG

частка акцыі: 245

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 16V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 10mA,

BZY55B10 RYG

BZY55B10 RYG

частка акцыі: 202

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 7.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 10mA,

BZS55C9V1 RXG

BZS55C9V1 RXG

частка акцыі: 240

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 6.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 10mA,

BZY55B4V7 RYG

BZY55B4V7 RYG

частка акцыі: 182

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.7V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 10mA,

BZY55C8V2 RYG

BZY55C8V2 RYG

частка акцыі: 198

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 6.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 10mA,

BZS55C5V1 RXG

BZS55C5V1 RXG

частка акцыі: 241

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 50 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 10mA,

BZS55B3V3 RXG

BZS55B3V3 RXG

частка акцыі: 216

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.3V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 85 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 10mA,

BZY55B2V7 RYG

BZY55B2V7 RYG

частка акцыі: 251

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.7V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 85 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 10mA,

BZY55C3V6 RYG

BZY55C3V6 RYG

частка акцыі: 229

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.6V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 85 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 10mA,

BZS55C33 RXG

BZS55C33 RXG

частка акцыі: 264

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 24V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 10mA,

BZS55C15 RXG

BZS55C15 RXG

частка акцыі: 246

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 11V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 10mA,

BZS55B5V6 RXG

BZS55B5V6 RXG

частка акцыі: 210

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.6V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 10mA,

BZY55C6V8 RYG

BZY55C6V8 RYG

частка акцыі: 274

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.8V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 3V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 10mA,

BZY55C2V4 RYG

BZY55C2V4 RYG

частка акцыі: 264

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.4V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 85 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 10mA,

BZY55C22 RYG

BZY55C22 RYG

частка акцыі: 229

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 16V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 10mA,

BZS55B10 RXG

BZS55B10 RXG

частка акцыі: 257

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 7.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 10mA,

BZS55C7V5 RXG

BZS55C7V5 RXG

частка акцыі: 222

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 7.5V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 10mA,