Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

BZV55B75 L1G

BZV55B75 L1G

частка акцыі: 237

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 75V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 170 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 56V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA,

BZV55C39 L0G

BZV55C39 L0G

частка акцыі: 184

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 39V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 28V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZT55C7V5 L1G

BZT55C7V5 L1G

частка акцыі: 179

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 7.5V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZV55C20 L0G

BZV55C20 L0G

частка акцыі: 194

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 15V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZV55C11 L1G

BZV55C11 L1G

частка акцыі: 212

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 8.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZX85C13 R0G

BZX85C13 R0G

частка акцыі: 248

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 10V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 10mA,

BZV55C27 L0G

BZV55C27 L0G

частка акцыі: 177

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 20V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZV55B7V5 L0G

BZV55B7V5 L0G

частка акцыі: 236

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 7.5V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA,

BZT55C15 L1G

BZT55C15 L1G

частка акцыі: 195

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 11V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZV55C8V2 L1G

BZV55C8V2 L1G

частка акцыі: 220

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 6.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZT55C5V6 L1G

BZT55C5V6 L1G

частка акцыі: 230

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.6V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZT55C2V7 L1G

BZT55C2V7 L1G

частка акцыі: 170

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 85 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZV55C3V6 L0G

BZV55C3V6 L0G

частка акцыі: 168

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.6V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 85 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZV55B6V8 L1G

BZV55B6V8 L1G

частка акцыі: 205

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.8V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 3V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA,

BZV55B3V6 L1G

BZV55B3V6 L1G

частка акцыі: 164

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.6V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 85 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA,

BZT55B3V9 L1G

BZT55B3V9 L1G

частка акцыі: 179

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.9V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 85 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZV55B4V3 L0G

BZV55B4V3 L0G

частка акцыі: 245

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.3V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 75 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA,

BZT55B13 L1G

BZT55B13 L1G

частка акцыі: 246

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 26 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 10V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZV55B43 L0G

BZV55B43 L0G

частка акцыі: 174

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 43V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 32V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA,

BZV55B3V9 L0G

BZV55B3V9 L0G

частка акцыі: 231

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.9V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 85 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA,

BZV55C6V8 L1G

BZV55C6V8 L1G

частка акцыі: 230

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.8V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 3V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZT55B4V3 L1G

BZT55B4V3 L1G

частка акцыі: 154

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.3V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 75 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZX85C18 R0G

BZX85C18 R0G

частка акцыі: 180

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 13V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 10mA,

BZV55C33 L1G

BZV55C33 L1G

частка акцыі: 215

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 24V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZX85C4V3 R0G

BZX85C4V3 R0G

частка акцыі: 243

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 13 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 10mA,

BZV55C3V3 L1G

BZV55C3V3 L1G

частка акцыі: 171

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 85 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZX85C47 R0G

BZX85C47 R0G

частка акцыі: 221

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 47V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 33V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 10mA,

BZV55B15 L0G

BZV55B15 L0G

частка акцыі: 234

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 11V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA,

BZT55B22 L1G

BZT55B22 L1G

частка акцыі: 239

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 16V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZT55B47 L1G

BZT55B47 L1G

частка акцыі: 173

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 47V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 110 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 35V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZV55C75 L1G

BZV55C75 L1G

частка акцыі: 237

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 75V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 170 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 56V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZV55B4V7 L0G

BZV55B4V7 L0G

частка акцыі: 253

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.7V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 60 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA,

BZT55B51 L1G

BZT55B51 L1G

частка акцыі: 206

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 51V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 125 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 38V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZV55C15 L0G

BZV55C15 L0G

частка акцыі: 167

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 11V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZV55B3V0 L1G

BZV55B3V0 L1G

частка акцыі: 216

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 85 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 4µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA,

BZV55B13 L0G

BZV55B13 L0G

частка акцыі: 154

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 26 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 10V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA,