Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

BZT55C39 L0G

BZT55C39 L0G

частка акцыі: 156

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 39V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 28V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZX79C4V7 A0G

BZX79C4V7 A0G

частка акцыі: 186

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

BZX55C43 A0G

BZX55C43 A0G

частка акцыі: 150

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 43V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 32V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA,

BZX55C13 A0G

BZX55C13 A0G

частка акцыі: 126

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 26 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 10V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA,

BZT55C4V7 L0G

BZT55C4V7 L0G

частка акцыі: 134

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 60 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZT55C51 L0G

BZT55C51 L0G

частка акцыі: 123

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 51V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 125 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 38V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZX85C11 A0G

BZX85C11 A0G

частка акцыі: 178

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 8.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 10mA,

BZX584B13 RKG

BZX584B13 RKG

частка акцыі: 119

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 150mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX55B36 A0G

BZX55B36 A0G

частка акцыі: 136

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 36V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 27V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA,

BZT55B10 L0G

BZT55B10 L0G

частка акцыі: 114

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 7.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZX85C3V3 A0G

BZX85C3V3 A0G

частка акцыі: 130

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 40µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 10mA,

BZX79C3V6 A0G

BZX79C3V6 A0G

частка акцыі: 196

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.6V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 15µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

BZX85C5V6 A0G

BZX85C5V6 A0G

частка акцыі: 198

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.6V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 10mA,

BZT55B9V1 L0G

BZT55B9V1 L0G

частка акцыі: 152

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 6.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZX85C20 A0G

BZX85C20 A0G

частка акцыі: 187

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 24 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 15V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 10mA,

BZX55C2V0 A0G

BZX55C2V0 A0G

частка акцыі: 157

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA,

BZX85C47 A0G

BZX85C47 A0G

частка акцыі: 183

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 47V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 33V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 10mA,

BZX85C5V1 A0G

BZX85C5V1 A0G

частка акцыі: 109

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 1.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 10mA,

BZX55C8V2 A0G

BZX55C8V2 A0G

частка акцыі: 166

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 6.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA,

BZT55C7V5 L0G

BZT55C7V5 L0G

частка акцыі: 117

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 7.5V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZX79C2V2 A0G

BZX79C2V2 A0G

частка акцыі: 179

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 150µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

BZX584B6V2 RKG

BZX584B6V2 RKG

частка акцыі: 135

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.2V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 150mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX584B8V2 RKG

BZX584B8V2 RKG

частка акцыі: 108

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 150mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 700nA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX55C24 A0G

BZX55C24 A0G

частка акцыі: 144

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 18V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA,

BZX55B75 A0G

BZX55B75 A0G

частка акцыі: 131

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 75V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 170 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 56V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA,

BZX79C2V0 A0G

BZX79C2V0 A0G

частка акцыі: 127

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 150µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

BZX55B56 A0G

BZX55B56 A0G

частка акцыі: 129

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 56V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 135 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 42V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA,

BZX55C20 A0G

BZX55C20 A0G

частка акцыі: 111

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 15V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA,

BZX55C75 A0G

BZX55C75 A0G

частка акцыі: 200

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 75V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 170 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 56V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA,

BZX79C13 A0G

BZX79C13 A0G

частка акцыі: 125

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

BZT55B22 L0G

BZT55B22 L0G

частка акцыі: 144

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 16V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZX79C20 A0G

BZX79C20 A0G

частка акцыі: 194

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 14V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

BZX584B16 RKG

BZX584B16 RKG

частка акцыі: 112

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 150mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 11.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT55C10 L0G

BZT55C10 L0G

частка акцыі: 176

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 7.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZX79C16 A0G

BZX79C16 A0G

частка акцыі: 109

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 11.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

BZT55B33 L0G

BZT55B33 L0G

частка акцыі: 157

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 24V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,