Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - Выпрамнікі - Масівы

  • Дом
  •  
  • Дыёды - Выпрамнікі - Масівы
MBRS1560CT-Y MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1560CT-Y MNG

частка акцыі: 97

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 7.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR2045PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2045PTHC0G

частка акцыі: 150

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 840mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR2545CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2545CTHC0G

частка акцыі: 79

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 850mV @ 25A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR10200CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR10200CT C0G

частка акцыі: 154

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 980mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRF1560CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1560CTHC0G

частка акцыі: 149

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 7.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SRF1690 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1690 C0G

частка акцыі: 171

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 90V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 16A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
GP1006 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1006 C0G

частка акцыі: 97

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRS20H200CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS20H200CT MNG

частка акцыі: 143

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 970mV @ 2A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SR1640HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1640HC0G

частка акцыі: 108

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 16A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR2035CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2035CT C0G

частка акцыі: 161

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 840mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRS1045CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1045CT MNG

частка акцыі: 145

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRF1535CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1535CT C0G

частка акцыі: 87

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 840mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRS25H45CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS25H45CT MNG

частка акцыі: 157

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 25A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
HERF1607G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERF1607G C0G

частка акцыі: 116

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 16A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SRS10150 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS10150 MNG

частка акцыі: 108

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR30L100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30L100CT C0G

частка акцыі: 133

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 770mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR2090CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2090CTHC0G

частка акцыі: 96

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 90V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SRS1690HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1690HMNG

частка акцыі: 88

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 90V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 16A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRS2545CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2545CT MNG

частка акцыі: 116

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 820mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
HER1007G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1007G C0G

частка акцыі: 109

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SRF10150HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF10150HC0G

частка акцыі: 114

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SR16150PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR16150PT C0G

частка акцыі: 163

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 16A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
UGF2006G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2006G C0G

частка акцыі: 78

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRS15H45CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS15H45CT MNG

частка акцыі: 162

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
GP1002 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1002 C0G

частка акцыі: 170

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SRS2020 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS2020 MNG

частка акцыі: 125

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SRF1660HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1660HC0G

частка акцыі: 145

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 16A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR2545CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2545CT C0G

частка акцыі: 149

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 850mV @ 25A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRS2045CT-Y MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2045CT-Y MNG

частка акцыі: 100

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
UG6005PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG6005PT C0G

частка акцыі: 160

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 300V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR20L100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20L100CT C0G

частка акцыі: 152

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 850mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SRF1620 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1620 C0G

частка акцыі: 117

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 16A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
HER1606PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1606PT C0G

частка акцыі: 122

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 16A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR40100PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR40100PT C0G

частка акцыі: 97

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRS20150CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS20150CTHMNG

частка акцыі: 83

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.23V @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
GP1605 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1605 C0G

частка акцыі: 108

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 16A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 8A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў