Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

MCR10EZHF80R6

MCR10EZHF80R6

частка акцыі: 2653

Супраціўленне: 80.6 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

MCR10EZHJ362

MCR10EZHJ362

частка акцыі: 4324

Супраціўленне: 3.6 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

MCR10EZHF14R7

MCR10EZHF14R7

частка акцыі: 2268

Супраціўленне: 14.7 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

MCR10EZHF7152

MCR10EZHF7152

частка акцыі: 2630

Супраціўленне: 71.5 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

MCR10EZHFL4R70

MCR10EZHFL4R70

частка акцыі: 2539

Супраціўленне: 4.7 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±250ppm/°C,

MCR10EZHF3013

MCR10EZHF3013

частка акцыі: 2458

Супраціўленне: 301 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

MCR10EZHF3002

MCR10EZHF3002

частка акцыі: 2472

Супраціўленне: 30 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

MCR18EZHF1272

MCR18EZHF1272

частка акцыі: 2933

Супраціўленне: 12.7 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

MCR10EZHF1204

MCR10EZHF1204

частка акцыі: 4303

Супраціўленне: 1.2 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

MCR10EZHJ223

MCR10EZHJ223

частка акцыі: 2760

Супраціўленне: 22 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

MCR18EZHF1101

MCR18EZHF1101

частка акцыі: 2817

Супраціўленне: 1.1 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

MCR10EZHF16R5

MCR10EZHF16R5

частка акцыі: 2260

Супраціўленне: 16.5 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

MCR10EZHF3322

MCR10EZHF3322

частка акцыі: 2455

Супраціўленне: 33.2 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

MCR10EZHF1621

MCR10EZHF1621

частка акцыі: 2272

Супраціўленне: 1.62 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

MCR10EZHJ334

MCR10EZHJ334

частка акцыі: 2799

Супраціўленне: 330 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

MCR10EZHF1960

MCR10EZHF1960

частка акцыі: 2338

Супраціўленне: 196 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

MCR10EZHF6201

MCR10EZHF6201

частка акцыі: 2601

Супраціўленне: 6.2 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

MCR18EZHF1242

MCR18EZHF1242

частка акцыі: 4356

Супраціўленне: 12.4 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

MCR10EZHF1024

MCR10EZHF1024

частка акцыі: 2211

Супраціўленне: 1.02 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

MCR10EZHF62R0

MCR10EZHF62R0

частка акцыі: 4346

Супраціўленне: 62 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

MCR18EZHF1203

MCR18EZHF1203

частка акцыі: 2845

Супраціўленне: 120 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

MCR10EZHF6342

MCR10EZHF6342

частка акцыі: 2642

Супраціўленне: 63.4 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

MCR10EZHF1372

MCR10EZHF1372

частка акцыі: 2274

Супраціўленне: 13.7 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

MCR10EZHF1211

MCR10EZHF1211

частка акцыі: 2240

Супраціўленне: 1.21 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

MCR10EZHF5493

MCR10EZHF5493

частка акцыі: 4322

Супраціўленне: 549 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

MCR10EZHJ6R2

MCR10EZHJ6R2

частка акцыі: 2864

Супраціўленне: 6.2 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±500ppm/°C,

MCR10EZHF1334

MCR10EZHF1334

частка акцыі: 2207

Супраціўленне: 1.33 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

MCR10EZHJ472

MCR10EZHJ472

частка акцыі: 2820

Супраціўленне: 4.7 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

MCR10EZHJ125

MCR10EZHJ125

частка акцыі: 2679

Супраціўленне: 1.2 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

MCR10EZHJ160

MCR10EZHJ160

частка акцыі: 2740

Супраціўленне: 16 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

MCR10EZHJ681

MCR10EZHJ681

частка акцыі: 2868

Супраціўленне: 680 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

MCR18EZHF1070

MCR18EZHF1070

частка акцыі: 2869

Супраціўленне: 107 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

MCR10EZHJ8R2

MCR10EZHJ8R2

частка акцыі: 2822

Супраціўленне: 8.2 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±500ppm/°C,

MCR10EZHF12R4

MCR10EZHF12R4

частка акцыі: 2206

Супраціўленне: 12.4 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

MCR18EZHF1152

MCR18EZHF1152

частка акцыі: 2850

Супраціўленне: 11.5 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

MCR10EZHF1054

MCR10EZHF1054

частка акцыі: 2203

Супраціўленне: 1.05 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,