Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 18

RBR3LAM60ATR

частка акцыі: 169041

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 660mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RSX051VAM30TR

частка акцыі: 165823

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 500mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 390mV @ 500mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RSX501LAM20TR

частка акцыі: 194190

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 390mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RR1VWM4STFTR

частка акцыі: 69447

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RB162MM-60TR

частка акцыі: 119218

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RB886GT2R

частка акцыі: 159243

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 5V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 350mV @ 1mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RB160SS-40T2R

частка акцыі: 112685

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 700mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RB520ZS-30T2R

частка акцыі: 195683

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 460mV @ 10mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RB530VM-30TE-17

частка акцыі: 195460

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 450mV @ 10mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RB501V-40TE-17

частка акцыі: 148841

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RB551VM-30TE-17

частка акцыі: 167943

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 500mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 470mV @ 500mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RB070MM-30TR

частка акцыі: 180624

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 490mV @ 1.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RB751CM-40T2R

частка акцыі: 119473

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 30mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 370mV @ 1mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RB160MM-90TR

частка акцыі: 175244

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 90V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 730mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RB055LAM-60TR

частка акцыі: 157697

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 680mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RB751V-40TE-17

частка акцыі: 148347

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 30mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 370mV @ 1mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RR264MM-400TR

частка акцыі: 137154

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 700mA, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RF081MM2STR

частка акцыі: 141414

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 800mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 800mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 25ns,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RRE02VSM6STR

частка акцыі: 173584

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RB491DT146

частка акцыі: 179636

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 450mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RB531SM-30T2R

частка акцыі: 151278

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 350mV @ 10mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RBR5LAM30ATR

частка акцыі: 181945

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 540mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RSX201VAM30TR

частка акцыі: 104649

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 420mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RB751S-40TE61

частка акцыі: 118158

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 30mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 370mV @ 1mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RB411DT146

частка акцыі: 165206

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 500mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 500mV @ 500mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RR1LAM4STR

частка акцыі: 181837

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RB530SM-30T2R

частка акцыі: 120288

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 450mV @ 10mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RBR3LAM60BTR

частка акцыі: 133750

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 560mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RB751G-40T2R

частка акцыі: 198434

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 30mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 370mV @ 1mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RB520SM-40T2R

частка акцыі: 179615

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RB083L-20TE25

частка акцыі: 174959

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 390mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RFN5BM3SFHTL

частка акцыі: 8820

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 350V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 30ns,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RF501BM2SFHTL

частка акцыі: 8787

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 25ns,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RBR5L60ATE25

частка акцыі: 183347

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RFN5BM6SFHTL

частка акцыі: 8795

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.55V @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RFN3BM2SFHTL

частка акцыі: 180124

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 980mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 25ns,

Ліст з жаданняў