Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

KDZVTR15B

KDZVTR15B

частка акцыі: 191066

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Магутнасць - Макс: 1W, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 11V,

KDZLVTFTR130

KDZLVTFTR130

частка акцыі: 144176

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 130V, Магутнасць - Макс: 1W, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 102V,

PTZTE259.1A

PTZTE259.1A

частка акцыі: 117278

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 6 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 20µA @ 6V,

PDZVTR33B

PDZVTR33B

частка акцыі: 4031

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 35V, Талерантнасць: ±5.71%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 18 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 25V,

CDZT2RA15B

CDZT2RA15B

частка акцыі: 188604

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 100mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 42 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 11V,

CDZT2RA8.2B

CDZT2RA8.2B

частка акцыі: 180915

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 100mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 5V,

TDZTR27

TDZTR27

частка акцыі: 160214

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 19V,

CDZT2R15B

CDZT2R15B

частка акцыі: 149885

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 100mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 42 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 11V,

EDZTE6127B

EDZTE6127B

частка акцыі: 117868

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 150mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 150 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 21V,

TFZTR11B

TFZTR11B

частка акцыі: 4036

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Магутнасць - Макс: 500mW,

KDZTR6.2B

KDZTR6.2B

частка акцыі: 109030

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.5V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 1W, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 20µA @ 3V,

VDZFHT2R9.1B

VDZFHT2R9.1B

частка акцыі: 4064

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.04V, Талерантнасць: ±2.1%, Магутнасць - Макс: 100mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 6V,

KDZTR7.5B

KDZTR7.5B

частка акцыі: 125710

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 7.9V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 1W, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 20µA @ 4V,

TFZGTR10B

TFZGTR10B

частка акцыі: 153438

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 200nA @ 7V,

EDZVT2R3.9B

EDZVT2R3.9B

частка акцыі: 125407

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.9V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 150mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V,

EDZVFHT2R5.1B

EDZVFHT2R5.1B

частка акцыі: 3958

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.09V, Талерантнасць: ±2.16%, Магутнасць - Макс: 150mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 1.5V,

EDZVFHT2R6.8B

EDZVFHT2R6.8B

частка акцыі: 3958

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.79V, Талерантнасць: ±2.06%, Магутнасць - Макс: 150mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 3.5V,

EDZVT2R24B

EDZVT2R24B

частка акцыі: 124200

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 150mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 120 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 19V,

EDZVT2R11B

EDZVT2R11B

частка акцыі: 103463

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 150mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 8V,

EDZVT2R13B

EDZVT2R13B

частка акцыі: 164638

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 150mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 37 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 10V,

EDZVFHT2R5.6B

EDZVFHT2R5.6B

частка акцыі: 3939

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.61V, Талерантнасць: ±2.13%, Магутнасць - Макс: 150mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 60 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 2.5V,

EDZVT2R2.7B

EDZVT2R2.7B

частка акцыі: 185640

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.7V, Магутнасць - Макс: 150mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 120µA @ 500mV,

EDZVT2R5.6B

EDZVT2R5.6B

частка акцыі: 109691

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.6V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 150mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 200 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 2.5V,

EDZVFHT2R4.7B

EDZVFHT2R4.7B

частка акцыі: 3909

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.65V, Талерантнасць: ±2.15%, Магутнасць - Макс: 150mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 1V,

EDZVT2R4.7B

EDZVT2R4.7B

частка акцыі: 117825

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.7V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 150mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 1V,

EDZVT2R12B

EDZVT2R12B

частка акцыі: 179530

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 150mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 9V,

EDZVT2R22B

EDZVT2R22B

частка акцыі: 135881

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 150mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 17V,

EDZVT2R9.1B

EDZVT2R9.1B

частка акцыі: 139087

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 150mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 6V,

EDZVT2R30B

EDZVT2R30B

частка акцыі: 115290

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 30V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 150mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 200 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 23V,

EDZVT2R36B

EDZVT2R36B

частка акцыі: 134284

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 36V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 150mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 300 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 27V,

EDZVT2R7.5B

EDZVT2R7.5B

частка акцыі: 101477

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 7.5V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 150mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 4V,