Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

RSAC16CST2RA

RSAC16CST2RA

частка акцыі: 177991

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 17V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 100mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 12V,

CDZFHT2RA33B

CDZFHT2RA33B

частка акцыі: 21616

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 32.97V, Талерантнасць: ±2.49%, Магутнасць - Макс: 100mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 250 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 25V,

EDZVT2R8.2B

EDZVT2R8.2B

частка акцыі: 144866

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 150mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 5V,

EDZVT2R20B

EDZVT2R20B

частка акцыі: 135132

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 150mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 85 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 15V,

GDZT2R6.2

GDZT2R6.2

частка акцыі: 190510

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 100mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 3V,

EDZVT2R15B

EDZVT2R15B

частка акцыі: 163118

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 150mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 42 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 11V,

EDZVT2R3.3B

EDZVT2R3.3B

частка акцыі: 139282

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.3V, Магутнасць - Макс: 150mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 120 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 20µA @ 1V,

EDZVT2R6.2B

EDZVT2R6.2B

частка акцыі: 132036

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.2V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 150mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 60 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 3V,

EDZVT2R16B

EDZVT2R16B

частка акцыі: 164513

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 150mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 50 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 12V,

VDZT2R11B

VDZT2R11B

частка акцыі: 194315

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 100mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 8V,

CDZT2RA5.1B

CDZT2RA5.1B

частка акцыі: 180129

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.1V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 100mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 1.5V,

CDZT2RA4.7B

CDZT2RA4.7B

частка акцыі: 123692

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.7V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 100mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 1V,

EDZVT2R6.8B

EDZVT2R6.8B

частка акцыі: 139314

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.8V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 150mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 3.5V,

EDZVT2R18B

EDZVT2R18B

частка акцыі: 191118

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 150mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 65 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 13V,

MTZJT-726.2C

MTZJT-726.2C

частка акцыі: 5638

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.2V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 3V,

MTZJT-7222B

MTZJT-7222B

частка акцыі: 5528

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 200nA @ 17V,

UDZLVTE-17150

UDZLVTE-17150

частка акцыі: 103381

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 150V, Магутнасць - Макс: 200mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 200nA @ 120V,

MTZJT-724.7B

MTZJT-724.7B

частка акцыі: 1585

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.7V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V,

MTZJT-7213C

MTZJT-7213C

частка акцыі: 5488

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 200nA @ 10V,

MTZJT-7236B

MTZJT-7236B

частка акцыі: 5544

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 36V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 75 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 200nA @ 27V,

MTZJT-7210C

MTZJT-7210C

частка акцыі: 5487

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 200nA @ 7V,

MTZJT-7230B

MTZJT-7230B

частка акцыі: 5632

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 30V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 200nA @ 23V,

MTZJT-725.1A

MTZJT-725.1A

частка акцыі: 3568

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.1V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1.5V,

MTZJT-724.3A

MTZJT-724.3A

частка акцыі: 5542

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.3V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V,

MTZJT-727.5C

MTZJT-727.5C

частка акцыі: 5610

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 7.5V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 4V,

MTZJT-7230A

MTZJT-7230A

частка акцыі: 5612

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 30V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 200nA @ 23V,

MTZJT-729.1C

MTZJT-729.1C

частка акцыі: 5544

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 6V,

MTZJT-7215B

MTZJT-7215B

частка акцыі: 5551

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 200nA @ 11V,

UDZSTE-1716B

UDZSTE-1716B

частка акцыі: 137312

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 50 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 12V,

MTZJT-7215C

MTZJT-7215C

частка акцыі: 5544

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 200nA @ 11V,

EDZTE614.3B

EDZTE614.3B

частка акцыі: 166559

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.3V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 150mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V,

MTZJT-727.5B

MTZJT-727.5B

частка акцыі: 5603

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 7.5V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 4V,

KDZTR3.9A

KDZTR3.9A

частка акцыі: 5448

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.9V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 40µA @ 1V,

MTZJT-773.3A

MTZJT-773.3A

частка акцыі: 5603

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.3V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 500mW,

EDZTE6136B

EDZTE6136B

частка акцыі: 158165

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 36V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 150mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 300 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 27V,

MTZJT-7220C

MTZJT-7220C

частка акцыі: 5510

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 500mW,