Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, папяр

  • Дом
  •  
  • Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, папяр
DTC124ECAHZGT116
Rohm Semiconductor

DTC124ECAHZGT116

частка акцыі: 123

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased + Diode, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Рэзістар - база (R1): 22 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 22 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTC124EU3T106
Rohm Semiconductor

DTC124EU3T106

частка акцыі: 63

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased + Diode, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Рэзістар - база (R1): 22 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 22 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTC023EMT2L
Rohm Semiconductor

DTC023EMT2L

частка акцыі: 143332

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 2.2 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 2.2 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 10V,

Ліст з жаданняў
DTC114YMT2L
Rohm Semiconductor

DTC114YMT2L

частка акцыі: 101222

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTC123JETL
Rohm Semiconductor

DTC123JETL

частка акцыі: 199453

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 2.2 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTC143ECAT116
Rohm Semiconductor

DTC143ECAT116

частка акцыі: 167420

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 4.7 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTC124XEFRATL
Rohm Semiconductor

DTC124XEFRATL

частка акцыі: 69

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased + Diode, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Рэзістар - база (R1): 22 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTA143TMT2L
Rohm Semiconductor

DTA143TMT2L

частка акцыі: 104749

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTA013ZUBTL
Rohm Semiconductor

DTA013ZUBTL

частка акцыі: 181648

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 1 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
DTD113ECHZGT116
Rohm Semiconductor

DTD113ECHZGT116

частка акцыі: 113

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased + Diode, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Рэзістар - база (R1): 1 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 1 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTD113ECT116
Rohm Semiconductor

DTD113ECT116

частка акцыі: 100985

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 1 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 1 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTA123JCAT116
Rohm Semiconductor

DTA123JCAT116

частка акцыі: 103671

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Рэзістар - база (R1): 2.2 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTA115EMT2L
Rohm Semiconductor

DTA115EMT2L

частка акцыі: 111770

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 100 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 100 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTC023JMT2L
Rohm Semiconductor

DTC023JMT2L

частка акцыі: 109540

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 2.2 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
DTC015EUBTL
Rohm Semiconductor

DTC015EUBTL

частка акцыі: 162811

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 100 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 100 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
DTC923TUBTL
Rohm Semiconductor

DTC923TUBTL

частка акцыі: 157543

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 400mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Рэзістар - база (R1): 2.2 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 820 @ 10mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTC124XMT2L
Rohm Semiconductor

DTC124XMT2L

частка акцыі: 100919

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 22 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTA144GUAT106
Rohm Semiconductor

DTA144GUAT106

частка акцыі: 182490

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTB123YKT146
Rohm Semiconductor

DTB123YKT146

частка акцыі: 199309

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 2.2 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTA143ZCAT116
Rohm Semiconductor

DTA143ZCAT116

частка акцыі: 107740

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTA143ECAT116
Rohm Semiconductor

DTA143ECAT116

частка акцыі: 120659

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 4.7 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTA144EU3T106
Rohm Semiconductor

DTA144EU3T106

частка акцыі: 54

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased + Diode, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Рэзістар - база (R1): 47 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTA024EMT2L
Rohm Semiconductor

DTA024EMT2L

частка акцыі: 136823

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 22 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 22 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
DTB123YCHZGT116
Rohm Semiconductor

DTB123YCHZGT116

частка акцыі: 135

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased + Diode, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Рэзістар - база (R1): 2.2 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTA114YKAT146
Rohm Semiconductor

DTA114YKAT146

частка акцыі: 125826

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTA143EMT2L
Rohm Semiconductor

DTA143EMT2L

частка акцыі: 141367

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 4.7 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTA114YCAT116
Rohm Semiconductor

DTA114YCAT116

частка акцыі: 185770

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTC144GUAT106
Rohm Semiconductor

DTC144GUAT106

частка акцыі: 191385

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTC124XCAHZGT116
Rohm Semiconductor

DTC124XCAHZGT116

частка акцыі: 66

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased + Diode, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Рэзістар - база (R1): 22 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTA123JMT2L
Rohm Semiconductor

DTA123JMT2L

частка акцыі: 161293

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 2.2 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTC124TMT2L
Rohm Semiconductor

DTC124TMT2L

частка акцыі: 187509

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 22 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTC014TUBTL
Rohm Semiconductor

DTC014TUBTL

частка акцыі: 164311

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
DTD523YETL
Rohm Semiconductor

DTD523YETL

частка акцыі: 136937

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Рэзістар - база (R1): 2.2 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V,

Ліст з жаданняў
DTC144EMT2L
Rohm Semiconductor

DTC144EMT2L

частка акцыі: 197378

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 47 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTA124XEFRATL
Rohm Semiconductor

DTA124XEFRATL

частка акцыі: 103

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Рэзістар - база (R1): 22 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTA014EMT2L
Rohm Semiconductor

DTA014EMT2L

частка акцыі: 158404

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў