Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, папяр

  • Дом
  •  
  • Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, папяр
DTA114YUBTL
Rohm Semiconductor

DTA114YUBTL

частка акцыі: 142067

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTA114TETL
Rohm Semiconductor

DTA114TETL

частка акцыі: 151729

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTA143TKAT146
Rohm Semiconductor

DTA143TKAT146

частка акцыі: 196644

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTA044EEBTL
Rohm Semiconductor

DTA044EEBTL

частка акцыі: 119080

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 47 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
DTC043ZEBTL
Rohm Semiconductor

DTC043ZEBTL

частка акцыі: 178756

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
DTC144EETL
Rohm Semiconductor

DTC144EETL

частка акцыі: 109417

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 47 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTA144EEBHZGTL
Rohm Semiconductor

DTA144EEBHZGTL

частка акцыі: 1772

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Рэзістар - база (R1): 47 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTC314TKT146
Rohm Semiconductor

DTC314TKT146

частка акцыі: 102493

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 600mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 15V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTC123JEBTL
Rohm Semiconductor

DTC123JEBTL

частка акцыі: 153760

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 2.2 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTA115EUAT106
Rohm Semiconductor

DTA115EUAT106

частка акцыі: 114157

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 100 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 100 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTA143EUBTL
Rohm Semiconductor

DTA143EUBTL

частка акцыі: 184628

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 4.7 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTC115GUAT106
Rohm Semiconductor

DTC115GUAT106

частка акцыі: 169881

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 100 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTD723YETL
Rohm Semiconductor

DTD723YETL

частка акцыі: 134923

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Рэзістар - база (R1): 2.2 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V,

Ліст з жаданняў
DTC114TEBTL
Rohm Semiconductor

DTC114TEBTL

частка акцыі: 106803

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTC143ZUAT106
Rohm Semiconductor

DTC143ZUAT106

частка акцыі: 157247

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTA113ZUAT106
Rohm Semiconductor

DTA113ZUAT106

частка акцыі: 147708

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 1 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTC143TUBTL
Rohm Semiconductor

DTC143TUBTL

частка акцыі: 159635

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTA143EEBTL
Rohm Semiconductor

DTA143EEBTL

частка акцыі: 167279

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 4.7 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTA144WKAT146
Rohm Semiconductor

DTA144WKAT146

частка акцыі: 180435

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 47 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 22 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTA144TKAT146
Rohm Semiconductor

DTA144TKAT146

частка акцыі: 103542

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTA143TUBTL
Rohm Semiconductor

DTA143TUBTL

частка акцыі: 113791

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Ліст з жаданняў