Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

ERA-2HEB1131X

ERA-2HEB1131X

частка акцыі: 152661

Супраціўленне: 1.13 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC88R7X

ERA-2HEC88R7X

частка акцыі: 196459

Супраціўленне: 88.7 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC4990X

ERA-2HEC4990X

частка акцыі: 146306

Супраціўленне: 499 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC6200X

ERA-2HEC6200X

частка акцыі: 141431

Супраціўленне: 620 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC6650X

ERA-2HEC6650X

частка акцыі: 148805

Супраціўленне: 665 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC3571X

ERA-2HEC3571X

частка акцыі: 176362

Супраціўленне: 3.57 kOhms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB8200X

ERA-2HEB8200X

частка акцыі: 102265

Супраціўленне: 820 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB6200X

ERA-2HEB6200X

частка акцыі: 155385

Супраціўленне: 620 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB6341X

ERA-2HEB6341X

частка акцыі: 176565

Супраціўленне: 6.34 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC3921X

ERA-2HEC3921X

частка акцыі: 119863

Супраціўленне: 3.92 kOhms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC3651X

ERA-2HEC3651X

частка акцыі: 107072

Супраціўленне: 3.65 kOhms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC52R3X

ERA-2HEC52R3X

частка акцыі: 110761

Супраціўленне: 52.3 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC3650X

ERA-2HEC3650X

частка акцыі: 134468

Супраціўленне: 365 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC2260X

ERA-2HEC2260X

частка акцыі: 113329

Супраціўленне: 226 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB8250X

ERA-2HEB8250X

частка акцыі: 126973

Супраціўленне: 825 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB1331X

ERA-2HEB1331X

частка акцыі: 134818

Супраціўленне: 1.33 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC1580X

ERA-2HEC1580X

частка акцыі: 129400

Супраціўленне: 158 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC2670X

ERA-2HEC2670X

частка акцыі: 191809

Супраціўленне: 267 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB49R9X

ERA-2HEB49R9X

частка акцыі: 169158

Супраціўленне: 49.9 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HHD24R0X

ERA-2HHD24R0X

частка акцыі: 111282

Супраціўленне: 24 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

ERA-2HEB2100X

ERA-2HEB2100X

частка акцыі: 112568

Супраціўленне: 210 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC63R4X

ERA-2HEC63R4X

частка акцыі: 118281

Супраціўленне: 63.4 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERJ-MP4MF9M0U

ERJ-MP4MF9M0U

частка акцыі: 137918

Супраціўленне: 9 mOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Metal Element, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±75ppm/°C,

ERA-2HEC1500X

ERA-2HEC1500X

частка акцыі: 136713

Супраціўленне: 150 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB5230X

ERA-2HEB5230X

частка акцыі: 158827

Супраціўленне: 523 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC1052X

ERA-2HEC1052X

частка акцыі: 146630

Супраціўленне: 10.5 kOhms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB1180X

ERA-2HEB1180X

частка акцыі: 156782

Супраціўленне: 118 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB1600X

ERA-2HEB1600X

частка акцыі: 131611

Супраціўленне: 160 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC1001X

ERA-2HEC1001X

частка акцыі: 135487

Супраціўленне: 1 kOhms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC6811X

ERA-2HEC6811X

частка акцыі: 133431

Супраціўленне: 6.81 kOhms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB5491X

ERA-2HEB5491X

частка акцыі: 153331

Супраціўленне: 5.49 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC5761X

ERA-2HEC5761X

частка акцыі: 126129

Супраціўленне: 5.76 kOhms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC6980X

ERA-2HEC6980X

частка акцыі: 127593

Супраціўленне: 698 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC54R9X

ERA-2HEC54R9X

частка акцыі: 140169

Супраціўленне: 54.9 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB2611X

ERA-2HEB2611X

частка акцыі: 110138

Супраціўленне: 2.61 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB7680X

ERA-2HEB7680X

частка акцыі: 143365

Супраціўленне: 768 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,