Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

RW2S0DA10R0JT

RW2S0DA10R0JT

частка акцыі: 24750

Супраціўленне: 10 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Current Sense, Тэмпературны каэфіцыент: ±20ppm/°C,

RW2S0DA10R0J

RW2S0DA10R0J

частка акцыі: 17151

Супраціўленне: 10 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Current Sense, Тэмпературны каэфіцыент: ±20ppm/°C,

RW2S0DA68R0JT

RW2S0DA68R0JT

частка акцыі: 24815

Супраціўленне: 68 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Current Sense, Тэмпературны каэфіцыент: ±20ppm/°C,

RW2S0DA15R0JT

RW2S0DA15R0JT

частка акцыі: 24739

Супраціўленне: 15 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Current Sense, Тэмпературны каэфіцыент: ±20ppm/°C,

RW2S0DA1R00JT

RW2S0DA1R00JT

частка акцыі: 24763

Супраціўленне: 1 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Current Sense, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

RW2S0DA47R0JT

RW2S0DA47R0JT

частка акцыі: 24807

Супраціўленне: 47 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Current Sense, Тэмпературны каэфіцыент: ±20ppm/°C,

RW2S0DA5R00JT

RW2S0DA5R00JT

частка акцыі: 24777

Супраціўленне: 5 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Current Sense, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

RW3R0DB47R0J

RW3R0DB47R0J

частка акцыі: 16297

Супраціўленне: 47 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 3W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Current Sense, Тэмпературны каэфіцыент: ±20ppm/°C,

RW3R0DB15R0JT

RW3R0DB15R0JT

частка акцыі: 23745

Супраціўленне: 15 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 3W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Current Sense, Тэмпературны каэфіцыент: ±20ppm/°C,

RW3R0DB24R0JT

RW3R0DB24R0JT

частка акцыі: 23758

Супраціўленне: 24 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 3W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Current Sense, Тэмпературны каэфіцыент: ±20ppm/°C,

RW3R0DB68R0JT

RW3R0DB68R0JT

частка акцыі: 23791

Супраціўленне: 68 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 3W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Current Sense, Тэмпературны каэфіцыент: ±20ppm/°C,

RW2S0DA150RJT

RW2S0DA150RJT

частка акцыі: 24787

Супраціўленне: 150 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Current Sense, Тэмпературны каэфіцыент: ±20ppm/°C,

TDH35PR100JE

TDH35PR100JE

частка акцыі: 6004

Супраціўленне: 100 mOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 35W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±500ppm/°C,

TDH35PR360JE

TDH35PR360JE

частка акцыі: 6431

Супраціўленне: 360 mOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 35W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±250ppm/°C,

TDH35PR200JE

TDH35PR200JE

частка акцыі: 6485

Супраціўленне: 200 mOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 35W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±250ppm/°C,

RW2S0DAR005JT

RW2S0DAR005JT

частка акцыі: 28081

Супраціўленне: 5 mOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Current Sense,

TDH35PR500JE

TDH35PR500JE

частка акцыі: 6656

Супраціўленне: 500 mOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 35W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±150ppm/°C,

RW1S5CAR005J

RW1S5CAR005J

частка акцыі: 18261

Супраціўленне: 5 mOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1.5W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Current Sense,

TDH35P7R50JE

TDH35P7R50JE

частка акцыі: 6913

Супраціўленне: 7.5 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 35W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

TDH35P1R00JE

TDH35P1R00JE

частка акцыі: 6872

Супраціўленне: 1 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 35W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

TDH35P3R00JE

TDH35P3R00JE

частка акцыі: 6858

Супраціўленне: 3 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 35W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

TDH35P2R00JE

TDH35P2R00JE

частка акцыі: 6895

Супраціўленне: 2 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 35W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

TDH35PR750JE

TDH35PR750JE

частка акцыі: 6843

Супраціўленне: 750 mOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 35W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

TDH35P5R00JE

TDH35P5R00JE

частка акцыі: 6918

Супраціўленне: 5 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 35W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

RC1R0EA4R70K

RC1R0EA4R70K

частка акцыі: 5560

Супраціўленне: 4.7 Ohms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Carbon Composition, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: -1300ppm/°C,

RC0S2CA6R80JT

RC0S2CA6R80JT

частка акцыі: 5456

Супраціўленне: 6.8 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Carbon Composition, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±400ppm/°C,

RC0S2CA6R80J

RC0S2CA6R80J

частка акцыі: 5519

Супраціўленне: 6.8 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Carbon Composition, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±400ppm/°C,

RW2R0DAR005JT

RW2R0DAR005JT

частка акцыі: 28130

Супраціўленне: 5 mOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Current Sense,

RW1S0BAR030JT

RW1S0BAR030JT

частка акцыі: 27287

Супраціўленне: 30 mOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Current Sense,

RC0S2CA470RJT

RC0S2CA470RJT

частка акцыі: 5529

Супраціўленне: 470 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Carbon Composition, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±400ppm/°C,

RC0S2CA20R0JT

RC0S2CA20R0JT

частка акцыі: 2638

Супраціўленне: 20 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Carbon Composition, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±400ppm/°C,

TDH35P20R0J

TDH35P20R0J

частка акцыі: 5557

Супраціўленне: 20 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 35W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

RW1S0BAR360JT

RW1S0BAR360JT

частка акцыі: 24487

Супраціўленне: 360 mOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Current Sense, Тэмпературны каэфіцыент: ±90ppm/°C,

MC102825005J

MC102825005J

частка акцыі: 31920

Супраціўленне: 50 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1.5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TDH35P68R0J

TDH35P68R0J

частка акцыі: 5544

Супраціўленне: 68 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 35W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

MC102821503J

MC102821503J

частка акцыі: 31879

Супраціўленне: 150 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1.5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,