Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

ACPP0805 20K B

ACPP0805 20K B

частка акцыі: 132887

Супраціўленне: 20 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ACPP0805 1K3 B

ACPP0805 1K3 B

частка акцыі: 134808

Супраціўленне: 1.3 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ACPP0603 16K B

ACPP0603 16K B

частка акцыі: 162061

Супраціўленне: 16 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ACPP0805 120R B

ACPP0805 120R B

частка акцыі: 149979

Супраціўленне: 120 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ACPP0603 360R B

ACPP0603 360R B

частка акцыі: 145127

Супраціўленне: 360 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

AS25J1001ET

AS25J1001ET

частка акцыі: 116901

Супраціўленне: 1 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1.5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

AS25J10R0ET

AS25J10R0ET

частка акцыі: 113691

Супраціўленне: 10 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1.5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±400ppm/°C,

AS25J1002ET

AS25J1002ET

частка акцыі: 148837

Супраціўленне: 10 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1.5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

AS25J1000ET

AS25J1000ET

частка акцыі: 157565

Супраціўленне: 100 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1.5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

AS25J1003ET

AS25J1003ET

частка акцыі: 153223

Супраціўленне: 100 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1.5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

AS25J1R00ET

AS25J1R00ET

частка акцыі: 186707

Супраціўленне: 1 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1.5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±400ppm/°C,

AS25J1004ET

AS25J1004ET

частка акцыі: 105898

Супраціўленне: 1 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1.5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

AS12J1000ET

AS12J1000ET

частка акцыі: 186158

Супраціўленне: 100 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

AS12J1002ET

AS12J1002ET

частка акцыі: 147620

Супраціўленне: 10 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

AS12J10R0ET

AS12J10R0ET

частка акцыі: 160197

Супраціўленне: 10 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±400ppm/°C,

AS12J1003ET

AS12J1003ET

частка акцыі: 134864

Супраціўленне: 100 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

AS12J1004ET

AS12J1004ET

частка акцыі: 128588

Супраціўленне: 1 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

AS12J1001ET

AS12J1001ET

частка акцыі: 129948

Супраціўленне: 1 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

AS12J1R00ET

AS12J1R00ET

частка акцыі: 182858

Супраціўленне: 1 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±400ppm/°C,

AS08J1000ET

AS08J1000ET

частка акцыі: 140805

Супраціўленне: 100 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

AS08J1001ET

AS08J1001ET

частка акцыі: 141479

Супраціўленне: 1 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

AS08J1R00ET

AS08J1R00ET

частка акцыі: 168236

Супраціўленне: 1 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±400ppm/°C,

AS08J1004ET

AS08J1004ET

частка акцыі: 108445

Супраціўленне: 1 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

AS08J1002ET

AS08J1002ET

частка акцыі: 105134

Супраціўленне: 10 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

AS08J10R0ET

AS08J10R0ET

частка акцыі: 149810

Супраціўленне: 10 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±400ppm/°C,

AS08J1003ET

AS08J1003ET

частка акцыі: 140794

Супраціўленне: 100 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

TDH35P75R0J-TR

TDH35P75R0J-TR

частка акцыі: 4002

Супраціўленне: 75 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 35W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

RW2S0DA1R00J

RW2S0DA1R00J

частка акцыі: 17135

Супраціўленне: 1 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Current Sense, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

RW3R0DB15R0J

RW3R0DB15R0J

частка акцыі: 16312

Супраціўленне: 15 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 3W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Current Sense, Тэмпературны каэфіцыент: ±20ppm/°C,

RW3R0DB5R00JT

RW3R0DB5R00JT

частка акцыі: 23764

Супраціўленне: 5 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 3W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Current Sense, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

RW2S0DA47R0J

RW2S0DA47R0J

частка акцыі: 17117

Супраціўленне: 47 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Current Sense, Тэмпературны каэфіцыент: ±20ppm/°C,

RW3R0DB47R0JT

RW3R0DB47R0JT

частка акцыі: 23724

Супраціўленне: 47 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 3W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Current Sense, Тэмпературны каэфіцыент: ±20ppm/°C,

RW3R0DB68R0J

RW3R0DB68R0J

частка акцыі: 16305

Супраціўленне: 68 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 3W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Current Sense, Тэмпературны каэфіцыент: ±20ppm/°C,

RW2S0DA15R0J

RW2S0DA15R0J

частка акцыі: 17104

Супраціўленне: 15 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Current Sense, Тэмпературны каэфіцыент: ±20ppm/°C,

RW2S0DA24R0J

RW2S0DA24R0J

частка акцыі: 17163

Супраціўленне: 24 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Current Sense, Тэмпературны каэфіцыент: ±20ppm/°C,

RW3R0DB10R0J

RW3R0DB10R0J

частка акцыі: 16230

Супраціўленне: 10 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 3W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Current Sense, Тэмпературны каэфіцыент: ±20ppm/°C,