Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

BZT52H-B20,115

BZT52H-B20,115

частка акцыі: 137736

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 375mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 14V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52H-C2V4,115

BZT52H-C2V4,115

частка акцыі: 194855

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.4V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 375mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 85 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84-C11,215

BZX84-C11,215

частка акцыі: 185145

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84-B15,215

BZX84-B15,215

частка акцыі: 171222

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 10.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX585-B3V6,115

BZX585-B3V6,115

частка акцыі: 109754

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.6V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 100mA,

BZX384-C75,115

BZX384-C75,115

частка акцыі: 127664

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 75V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 255 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 52.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 100mA,

BZX384-B4V7,115

BZX384-B4V7,115

частка акцыі: 107463

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.7V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 100mA,

BZT52H-B6V2,115

BZT52H-B6V2,115

частка акцыі: 151362

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.2V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 375mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX585-C9V1,115

BZX585-C9V1,115

частка акцыі: 176800

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 100mA,

BZX84-C36,215

BZX84-C36,215

частка акцыі: 188905

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 36V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 25.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX384-C39,115

BZX384-C39,115

частка акцыі: 126985

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 39V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 130 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 27.3V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 100mA,

BZX84J-C8V2,115

BZX84J-C8V2,115

частка акцыі: 150837

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 550mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 700nA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 100mA,

BZX585-B3V9,115

BZX585-B3V9,115

частка акцыі: 170306

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.9V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 100mA,

BZT52-C8V2X

BZT52-C8V2X

частка акцыі: 167967

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±6.1%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 700nA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52-B12X

BZT52-B12X

частка акцыі: 16268

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±1.67%, Магутнасць - Макс: 590mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52H-B7V5,115

BZT52H-B7V5,115

частка акцыі: 190117

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 7.5V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 375mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX384-B15,115

BZX384-B15,115

частка акцыі: 135690

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 10.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 100mA,

BZT52H-B68,115

BZT52H-B68,115

частка акцыі: 169791

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 68V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 375mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 160 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 47.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX384-C8V2,115

BZX384-C8V2,115

частка акцыі: 157089

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 700nA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 100mA,

BZX384-B3V9,115

BZX384-B3V9,115

частка акцыі: 152738

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.9V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 100mA,

BZX84J-B4V3,115

BZX84J-B4V3,115

частка акцыі: 136262

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.3V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 550mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 100mA,

BZX384-C51,115

BZX384-C51,115

частка акцыі: 107057

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 51V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 180 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 35.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 100mA,

BZX84-C47,215

BZX84-C47,215

частка акцыі: 170644

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 47V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 170 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 32.9V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84J-B18,115

BZX84J-B18,115

частка акцыі: 184457

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 550mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 12.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 100mA,

BZT52H-C16,115

BZT52H-C16,115

частка акцыі: 162701

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 375mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 11.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52H-C10,115

BZT52H-C10,115

частка акцыі: 128585

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 375mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 200nA @ 7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX585-B6V8,115

BZX585-B6V8,115

частка акцыі: 100522

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.8V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 100mA,

BZX84-B12,215

BZX84-B12,215

частка акцыі: 189418

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX384-B10,115

BZX384-B10,115

частка акцыі: 114360

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 200nA @ 7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 100mA,

BZX84J-C3V3,115

BZX84J-C3V3,115

частка акцыі: 172429

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 550mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 100mA,

BZV90-C3V3,115

BZV90-C3V3,115

частка акцыі: 152235

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 50mA,

BZX84J-B10,115

BZX84J-B10,115

частка акцыі: 165237

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 550mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 200nA @ 7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 100mA,

BZX384-C62,115

BZX384-C62,115

частка акцыі: 135665

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 62V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 215 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 43.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 100mA,

BZX84J-C5V1/DG/B2,

BZX84J-C5V1/DG/B2,

частка акцыі: 6885

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 550mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 60 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 100mA,

BZX84J-B5V6/DG/B2,

BZX84J-B5V6/DG/B2,

частка акцыі: 6810

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.6V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 550mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 100mA,

BZX84-C8V2/DG/B3:2

BZX84-C8V2/DG/B3:2

частка акцыі: 6845

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 700nA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,