Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

BZX84-B3V6,215

BZX84-B3V6,215

частка акцыі: 154086

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.6V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84-C75,215

BZX84-C75,215

частка акцыі: 162217

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 75V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 255 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 52.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX585-C3V3,115

BZX585-C3V3,115

частка акцыі: 185948

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 100mA,

BZX84-C13,215

BZX84-C13,215

частка акцыі: 162842

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84-B4V3,215

BZX84-B4V3,215

частка акцыі: 136624

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.3V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52H-B8V2,115

BZT52H-B8V2,115

частка акцыі: 110075

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 375mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 700nA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84-C5V6,215

BZX84-C5V6,215

частка акцыі: 148388

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.6V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84-C62,215

BZX84-C62,215

частка акцыі: 115702

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 62V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 215 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 43.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52H-B13,115

BZT52H-B13,115

частка акцыі: 119420

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 375mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX585-C12,115

BZX585-C12,115

частка акцыі: 148118

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100µA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 100mA,

BZT52H-C5V6,115

BZT52H-C5V6,115

частка акцыі: 120507

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.6V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 375mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52H-C27,115

BZT52H-C27,115

частка акцыі: 131638

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 375mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 18.9V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84J-C39,115

BZX84J-C39,115

частка акцыі: 187760

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 39V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 550mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 75 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 27.3V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 100mA,

BZT52H-B4V7,115

BZT52H-B4V7,115

частка акцыі: 171854

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.7V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 375mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 78 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52H-C36,115

BZT52H-C36,115

частка акцыі: 179571

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 36V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 375mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 60 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 25.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52H-C7V5,115

BZT52H-C7V5,115

частка акцыі: 139401

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 7.5V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 375mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52H-B3V0,115

BZT52H-B3V0,115

частка акцыі: 154933

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 375mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84-B10,215

BZX84-B10,215

частка акцыі: 139207

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 200nA @ 7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84-B3V9,215

BZX84-B3V9,215

частка акцыі: 172841

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.9V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84-A2V4,215

BZX84-A2V4,215

частка акцыі: 131807

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.4V, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52H-B16,115

BZT52H-B16,115

частка акцыі: 152572

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 375mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 11.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52H-C12,115

BZT52H-C12,115

частка акцыі: 199219

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 375mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52H-B47,115

BZT52H-B47,115

частка акцыі: 184433

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 47V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 375mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 32.9V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX384-B68,115

BZX384-B68,115

частка акцыі: 142332

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 68V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 240 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 47.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 100mA,

BZT52H-B3V6,115

BZT52H-B3V6,115

частка акцыі: 165341

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.6V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 375mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52H-C33,115

BZT52H-C33,115

частка акцыі: 167179

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 375mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 23.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52-B5V6X

BZT52-B5V6X

частка акцыі: 9920

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.6V, Талерантнасць: ±1.96%, Магутнасць - Макс: 590mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84J-B3V6,115

BZX84J-B3V6,115

частка акцыі: 107281

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.6V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 550mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 100mA,

BZX84-A5V6,215

BZX84-A5V6,215

частка акцыі: 101142

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.6V, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52H-B5V1,115

BZT52H-B5V1,115

частка акцыі: 109170

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.1V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 375mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 60 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84-B11,215

BZX84-B11,215

частка акцыі: 110187

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84-C51,215

BZX84-C51,215

частка акцыі: 130939

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 51V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 180 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 35.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52H-C51,115

BZT52H-C51,115

частка акцыі: 149863

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 51V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 375mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 35.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84-B36,215

BZX84-B36,215

частка акцыі: 169905

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 36V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 25.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52H-B62,115

BZT52H-B62,115

частка акцыі: 193623

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 62V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 375mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 140 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 43.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84J-B5V6,115

BZX84J-B5V6,115

частка акцыі: 186933

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.6V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 550mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 100mA,