Праграмуемы тып: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), Час затрымкі tpd (1) Макс: 20.0ns, Пастаўка напружання - унутранае: 3V ~ 3.6V, Колькасць макраэлементаў: 32,
Праграмуемы тып: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), Час затрымкі tpd (1) Макс: 7.5ns, Пастаўка напружання - унутранае: 4.75V ~ 5.25V, Колькасць макраэлементаў: 32,
Праграмуемы тып: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), Час затрымкі tpd (1) Макс: 15.0ns, Пастаўка напружання - унутранае: 4.75V ~ 5.25V, Колькасць макраэлементаў: 32,
Праграмуемы тып: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), Час затрымкі tpd (1) Макс: 15.0ns, Пастаўка напружання - унутранае: 4.5V ~ 5.5V, Колькасць макраэлементаў: 32,
Праграмуемы тып: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), Час затрымкі tpd (1) Макс: 10.0ns, Пастаўка напружання - унутранае: 4.5V ~ 5.5V, Колькасць макраэлементаў: 32,
Праграмуемы тып: In System Programmable (min 100 program/erase cycles), Час затрымкі tpd (1) Макс: 20.0ns, Пастаўка напружання - унутранае: 4.5V ~ 5.5V, Колькасць макраэлементаў: 32,
Праграмуемы тып: In System Programmable (min 100 program/erase cycles), Час затрымкі tpd (1) Макс: 20.0ns, Пастаўка напружання - унутранае: 4.75V ~ 5.25V, Колькасць макраэлементаў: 32,
Праграмуемы тып: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), Час затрымкі tpd (1) Макс: 15.0ns, Пастаўка напружання - унутранае: 3V ~ 5.25V, Колькасць макраэлементаў: 32,
Праграмуемы тып: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), Час затрымкі tpd (1) Макс: 12.0ns, Пастаўка напружання - унутранае: 3V ~ 5.25V, Колькасць макраэлементаў: 32,
Праграмуемы тып: In System Programmable (min 100 program/erase cycles), Час затрымкі tpd (1) Макс: 7.5ns, Пастаўка напружання - унутранае: 4.75V ~ 5.25V, Колькасць макраэлементаў: 32,
Праграмуемы тып: In System Programmable (min 100 program/erase cycles), Час затрымкі tpd (1) Макс: 15.0ns, Пастаўка напружання - унутранае: 4.75V ~ 5.25V, Колькасць макраэлементаў: 32,
Праграмуемы тып: In System Programmable (min 100 program/erase cycles), Час затрымкі tpd (1) Макс: 15.0ns, Пастаўка напружання - унутранае: 4.5V ~ 5.5V, Колькасць макраэлементаў: 32,
Праграмуемы тып: In System Programmable (min 100 program/erase cycles), Час затрымкі tpd (1) Макс: 12.0ns, Пастаўка напружання - унутранае: 4.5V ~ 5.5V, Колькасць макраэлементаў: 32,
Праграмуемы тып: In System Programmable (min 100 program/erase cycles), Час затрымкі tpd (1) Макс: 12.0ns, Пастаўка напружання - унутранае: 4.75V ~ 5.25V, Колькасць макраэлементаў: 32,
Праграмуемы тып: In System Programmable (min 100 program/erase cycles), Час затрымкі tpd (1) Макс: 10.0ns, Пастаўка напружання - унутранае: 4.5V ~ 5.5V, Колькасць макраэлементаў: 32,
Праграмуемы тып: OTP, Час затрымкі tpd (1) Макс: 25.0ns, Пастаўка напружання - унутранае: 4.75V ~ 5.25V, Колькасць макраэлементаў: 24,
Праграмуемы тып: OTP, Час затрымкі tpd (1) Макс: 20.0ns, Пастаўка напружання - унутранае: 4.75V ~ 5.25V, Колькасць макраэлементаў: 24,
Праграмуемы тып: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), Час затрымкі tpd (1) Макс: 15.0ns, Пастаўка напружання - унутранае: 4.75V ~ 5.25V, Колькасць макраэлементаў: 10,
Праграмуемы тып: OTP, Час затрымкі tpd (1) Макс: 15.0ns, Пастаўка напружання - унутранае: 4.75V ~ 5.25V, Колькасць макраэлементаў: 24,
Праграмуемы тып: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), Час затрымкі tpd (1) Макс: 20.0ns, Пастаўка напружання - унутранае: 3V ~ 3.6V, Колькасць макраэлементаў: 128,
Праграмуемы тып: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), Час затрымкі tpd (1) Макс: 15.0ns, Пастаўка напружання - унутранае: 3V ~ 3.6V, Колькасць макраэлементаў: 128,
