Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя

LND150N8-G

LND150N8-G

частка акцыі: 155053

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 500V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 30mA (Tj), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

LND150K1-G

LND150K1-G

частка акцыі: 187815

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 500V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 13mA (Tj), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

TN2540N8-G

TN2540N8-G

частка акцыі: 74252

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 400V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 260mA (Tj), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 500mA, 10V,

TP2540N8-G

TP2540N8-G

частка акцыі: 63450

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 400V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 125mA (Tj), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 100mA, 10V,

DN2470K4-G

DN2470K4-G

частка акцыі: 115852

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 700V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 170mA (Tj), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 Ohm @ 100mA, 0V,