Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы)

LFXP15C-4F256C

LFXP15C-4F256C

частка акцыі: 6321

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 15000, Усяго біт аператыўнай памяці: 331776, Колькасць уводу-вываду: 188, Напружанне - харчаванне: 1.71V ~ 3.465V,

LCMXO640C-3B256I

LCMXO640C-3B256I

частка акцыі: 9350

Колькасць LAB / CLB: 80, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 640, Колькасць уводу-вываду: 159, Напружанне - харчаванне: 1.71V ~ 3.465V,

LCMXO640C-4M100C

LCMXO640C-4M100C

частка акцыі: 3037

Колькасць LAB / CLB: 80, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 640, Колькасць уводу-вываду: 74, Напружанне - харчаванне: 1.71V ~ 3.465V,

LFE2-20SE-5F672C

LFE2-20SE-5F672C

частка акцыі: 3934

Колькасць LAB / CLB: 2625, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 21000, Усяго біт аператыўнай памяці: 282624, Колькасць уводу-вываду: 402, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFSCM3GA25EP1-6FFA1020C

LFSCM3GA25EP1-6FFA1020C

частка акцыі: 6058

Колькасць LAB / CLB: 6250, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 25000, Усяго біт аператыўнай памяці: 1966080, Колькасць уводу-вываду: 476, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.26V,

LFE5UM-25F-7BG381C

LFE5UM-25F-7BG381C

частка акцыі: 5224

Колькасць LAB / CLB: 6000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 24000, Усяго біт аператыўнай памяці: 1032192, Колькасць уводу-вываду: 197, Напружанне - харчаванне: 1.045V ~ 1.155V,

LFSC3GA15E-6F256C

LFSC3GA15E-6F256C

частка акцыі: 5592

Колькасць LAB / CLB: 3750, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 15000, Усяго біт аператыўнай памяці: 1054720, Колькасць уводу-вываду: 139, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.26V,

LFXP6C-4Q208I

LFXP6C-4Q208I

частка акцыі: 9715

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 6000, Усяго біт аператыўнай памяці: 73728, Колькасць уводу-вываду: 142, Напружанне - харчаванне: 1.71V ~ 3.465V,

LFSCM3GA80EP1-6FF1152I

LFSCM3GA80EP1-6FF1152I

частка акцыі: 6226

Колькасць LAB / CLB: 20000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 80000, Усяго біт аператыўнай памяці: 5816320, Колькасць уводу-вываду: 660, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.26V,

LFEC6E-3QN208I

LFEC6E-3QN208I

частка акцыі: 1603

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 6100, Усяго біт аператыўнай памяці: 94208, Колькасць уводу-вываду: 147, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2-6E-5T144I

LFE2-6E-5T144I

частка акцыі: 4405

Колькасць LAB / CLB: 750, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 6000, Усяго біт аператыўнай памяці: 56320, Колькасць уводу-вываду: 90, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFXP15E-4FN484C

LFXP15E-4FN484C

частка акцыі: 9235

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 15000, Усяго біт аператыўнай памяці: 331776, Колькасць уводу-вываду: 300, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFXP10E-3F388I

LFXP10E-3F388I

частка акцыі: 6259

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 10000, Усяго біт аператыўнай памяці: 221184, Колькасць уводу-вываду: 244, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LCMXO1200E-3T144C

LCMXO1200E-3T144C

частка акцыі: 2317

Колькасць LAB / CLB: 150, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 1200, Усяго біт аператыўнай памяці: 9421, Колькасць уводу-вываду: 113, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFXP3E-4QN208C

LFXP3E-4QN208C

частка акцыі: 1251

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 3000, Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 136, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LCMXO640C-4T144I

LCMXO640C-4T144I

частка акцыі: 2187

Колькасць LAB / CLB: 80, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 640, Колькасць уводу-вываду: 113, Напружанне - харчаванне: 1.71V ~ 3.465V,

LCMXO2280E-4T100C

LCMXO2280E-4T100C

частка акцыі: 2800

Колькасць LAB / CLB: 285, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 2280, Усяго біт аператыўнай памяці: 28262, Колькасць уводу-вываду: 73, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFSC3GA115E-6FFN1704C

LFSC3GA115E-6FFN1704C

частка акцыі: 1750

Колькасць LAB / CLB: 28750, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 115000, Усяго біт аператыўнай памяці: 7987200, Колькасць уводу-вываду: 942, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.26V,

LFE2-35E-6F484C

LFE2-35E-6F484C

частка акцыі: 4027

Колькасць LAB / CLB: 4000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 32000, Усяго біт аператыўнай памяці: 339968, Колькасць уводу-вываду: 331, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LCMXO2280E-3T100C

LCMXO2280E-3T100C

частка акцыі: 2710

Колькасць LAB / CLB: 285, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 2280, Усяго біт аператыўнай памяці: 28262, Колькасць уводу-вываду: 73, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFXP10E-4F256C

LFXP10E-4F256C

частка акцыі: 6324

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 10000, Усяго біт аператыўнай памяці: 221184, Колькасць уводу-вываду: 188, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFXP3C-3Q208I

LFXP3C-3Q208I

частка акцыі: 9748

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 3000, Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 136, Напружанне - харчаванне: 1.71V ~ 3.465V,

LFXP3E-4T144I

LFXP3E-4T144I

частка акцыі: 7120

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 3000, Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 100, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2-12SE-5F256C

LFE2-12SE-5F256C

частка акцыі: 3535

Колькасць LAB / CLB: 1500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 12000, Усяго біт аператыўнай памяці: 226304, Колькасць уводу-вываду: 193, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFXP15C-3FN388I

LFXP15C-3FN388I

частка акцыі: 1634

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 15000, Усяго біт аператыўнай памяці: 331776, Колькасць уводу-вываду: 268, Напружанне - харчаванне: 1.71V ~ 3.465V,

ORSO82G5-2FN680C

ORSO82G5-2FN680C

частка акцыі: 1920

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 10368, Усяго біт аператыўнай памяці: 113664, Колькасць уводу-вываду: 372, Колькасць брамы: 643000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 3.6V,

LFXP2-5E-6M132I

LFXP2-5E-6M132I

частка акцыі: 6927

Колькасць LAB / CLB: 625, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 5000, Усяго біт аператыўнай памяці: 169984, Колькасць уводу-вываду: 86, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LCMXO1200E-4T144I

LCMXO1200E-4T144I

частка акцыі: 2373

Колькасць LAB / CLB: 150, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 1200, Усяго біт аператыўнай памяці: 9421, Колькасць уводу-вываду: 113, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFSC3GA25E-6FFA1020C

LFSC3GA25E-6FFA1020C

частка акцыі: 5684

Колькасць LAB / CLB: 6250, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 25000, Усяго біт аператыўнай памяці: 1966080, Колькасць уводу-вываду: 476, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.26V,

LFSC3GA25E-5FFA1020C

LFSC3GA25E-5FFA1020C

частка акцыі: 5654

Колькасць LAB / CLB: 6250, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 25000, Усяго біт аператыўнай памяці: 1966080, Колькасць уводу-вываду: 476, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.26V,

LFSC3GA15E-5F256I

LFSC3GA15E-5F256I

частка акцыі: 5523

Колькасць LAB / CLB: 3750, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 15000, Усяго біт аператыўнай памяці: 1054720, Колькасць уводу-вываду: 139, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.26V,

LCMXO2280C-3M132C

LCMXO2280C-3M132C

частка акцыі: 2518

Колькасць LAB / CLB: 285, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 2280, Усяго біт аператыўнай памяці: 28262, Колькасць уводу-вываду: 101, Напружанне - харчаванне: 1.71V ~ 3.465V,

LCMXO2280E-4T144I

LCMXO2280E-4T144I

частка акцыі: 2128

Колькасць LAB / CLB: 285, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 2280, Усяго біт аператыўнай памяці: 28262, Колькасць уводу-вываду: 113, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LCMXO256E-4M100I

LCMXO256E-4M100I

частка акцыі: 2906

Колькасць LAB / CLB: 32, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 256, Колькасць уводу-вываду: 78, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

ORSO82G5-3FN680C

ORSO82G5-3FN680C

частка акцыі: 1853

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 10368, Усяго біт аператыўнай памяці: 113664, Колькасць уводу-вываду: 372, Колькасць брамы: 643000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 3.6V,

LFXP20C-4F388C

LFXP20C-4F388C

частка акцыі: 6579

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 20000, Усяго біт аператыўнай памяці: 405504, Колькасць уводу-вываду: 268, Напружанне - харчаванне: 1.71V ~ 3.465V,