Колькасць LAB / CLB: 11000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 44000, Усяго біт аператыўнай памяці: 1990656, Колькасць уводу-вываду: 197, Напружанне - харчаванне: 1.045V ~ 1.155V,
Колькасць LAB / CLB: 150, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 1200, Усяго біт аператыўнай памяці: 9421, Колькасць уводу-вываду: 211, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,
Колькасць LAB / CLB: 285, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 2280, Усяго біт аператыўнай памяці: 28262, Колькасць уводу-вываду: 101, Напружанне - харчаванне: 1.71V ~ 3.465V,
Колькасць LAB / CLB: 858, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 6864, Усяго біт аператыўнай памяці: 245760, Колькасць уводу-вываду: 206, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,
Колькасць LAB / CLB: 540, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 4320, Усяго біт аператыўнай памяці: 94208, Колькасць уводу-вываду: 274, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,
Колькасць LAB / CLB: 11000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 44000, Усяго біт аператыўнай памяці: 1990656, Колькасць уводу-вываду: 118, Напружанне - харчаванне: 1.045V ~ 1.155V,
Колькасць LAB / CLB: 1175, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 9400, Усяго біт аператыўнай памяці: 442368, Колькасць уводу-вываду: 384, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 3.465V,
Колькасць LAB / CLB: 858, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 6864, Усяго біт аператыўнай памяці: 245760, Колькасць уводу-вываду: 206, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,
Колькасць LAB / CLB: 858, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 6864, Усяго біт аператыўнай памяці: 245760, Колькасць уводу-вываду: 206, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,
Колькасць LAB / CLB: 858, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 6864, Усяго біт аператыўнай памяці: 245760, Колькасць уводу-вываду: 206, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,
Колькасць LAB / CLB: 625, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 5000, Усяго біт аператыўнай памяці: 169984, Колькасць уводу-вываду: 146, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,
Колькасць LAB / CLB: 858, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 6864, Усяго біт аператыўнай памяці: 245760, Колькасць уводу-вываду: 206, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,
Колькасць LAB / CLB: 858, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 6864, Усяго біт аператыўнай памяці: 245760, Колькасць уводу-вываду: 206, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 3.465V,
Колькасць LAB / CLB: 11000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 44000, Усяго біт аператыўнай памяці: 1990656, Колькасць уводу-вываду: 118, Напружанне - харчаванне: 1.045V ~ 1.155V,
Колькасць LAB / CLB: 285, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 2280, Усяго біт аператыўнай памяці: 28262, Колькасць уводу-вываду: 271, Напружанне - харчаванне: 1.71V ~ 3.465V,
Колькасць LAB / CLB: 540, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 4320, Усяго біт аператыўнай памяці: 94208, Колькасць уводу-вываду: 274, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 3.465V,
Колькасць LAB / CLB: 1175, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 9400, Усяго біт аператыўнай памяці: 442368, Колькасць уводу-вываду: 335, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,
Колькасць LAB / CLB: 625, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 5000, Усяго біт аператыўнай памяці: 169984, Колькасць уводу-вываду: 146, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,
Колькасць LAB / CLB: 540, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 4320, Усяго біт аператыўнай памяці: 94208, Колькасць уводу-вываду: 206, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 3.465V,
Колькасць LAB / CLB: 858, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 6864, Усяго біт аператыўнай памяці: 245760, Колькасць уводу-вываду: 206, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 3.465V,
Колькасць LAB / CLB: 150, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 1200, Усяго біт аператыўнай памяці: 9421, Колькасць уводу-вываду: 211, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,
Колькасць LAB / CLB: 11000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 44000, Усяго біт аператыўнай памяці: 1990656, Колькасць уводу-вываду: 197, Напружанне - харчаванне: 1.045V ~ 1.155V,
Колькасць LAB / CLB: 11000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 44000, Усяго біт аператыўнай памяці: 1990656, Колькасць уводу-вываду: 203, Напружанне - харчаванне: 1.045V ~ 1.155V,
Колькасць LAB / CLB: 285, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 2280, Усяго біт аператыўнай памяці: 28262, Колькасць уводу-вываду: 271, Напружанне - харчаванне: 1.71V ~ 3.465V,
Колькасць LAB / CLB: 540, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 4320, Усяго біт аператыўнай памяці: 94208, Колькасць уводу-вываду: 274, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,
Колькасць LAB / CLB: 285, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 2280, Усяго біт аператыўнай памяці: 28262, Колькасць уводу-вываду: 211, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,
Колькасць LAB / CLB: 6000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 24000, Усяго біт аператыўнай памяці: 1032192, Колькасць уводу-вываду: 197, Напружанне - харчаванне: 1.045V ~ 1.155V,
Колькасць LAB / CLB: 625, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 5000, Усяго біт аператыўнай памяці: 169984, Колькасць уводу-вываду: 100, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,
Колькасць LAB / CLB: 858, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 6864, Усяго біт аператыўнай памяці: 245760, Колькасць уводу-вываду: 206, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 3.465V,
Колькасць LAB / CLB: 285, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 2280, Усяго біт аператыўнай памяці: 28262, Колькасць уводу-вываду: 101, Напружанне - харчаванне: 1.71V ~ 3.465V,
Колькасць LAB / CLB: 858, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 6864, Усяго біт аператыўнай памяці: 245760, Колькасць уводу-вываду: 206, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 3.465V,
Колькасць LAB / CLB: 285, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 2280, Усяго біт аператыўнай памяці: 28262, Колькасць уводу-вываду: 101, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,
Колькасць LAB / CLB: 625, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 5000, Усяго біт аператыўнай памяці: 169984, Колькасць уводу-вываду: 172, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,
Колькасць LAB / CLB: 11000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 44000, Усяго біт аператыўнай памяці: 1990656, Колькасць уводу-вываду: 203, Напружанне - харчаванне: 1.045V ~ 1.155V,
Колькасць LAB / CLB: 858, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 6864, Усяго біт аператыўнай памяці: 245760, Колькасць уводу-вываду: 206, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,
Колькасць LAB / CLB: 858, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 6864, Усяго біт аператыўнай памяці: 245760, Колькасць уводу-вываду: 206, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,
