PMIC - Драйверы брамы

HIP4080AIBZT

HIP4080AIBZT

частка акцыі: 25709

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 4, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 9.5V ~ 15V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 1V, 2.5V,

EL7252CSZ

EL7252CSZ

частка акцыі: 25342

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 16V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

ISL6615AIBZ-T

ISL6615AIBZ-T

частка акцыі: 34043

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 6.8V ~ 13.2V,

ISL6612AIBZ

ISL6612AIBZ

частка акцыі: 33481

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10.8V ~ 13.2V,

HIP2101IR4ZT

HIP2101IR4ZT

частка акцыі: 40905

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 9V ~ 14V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

ISL6208IBZ

ISL6208IBZ

частка акцыі: 38175

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.5V, 2V,

EL7457CLZ-T13

EL7457CLZ-T13

частка акцыі: 29481

Кіраваная канфігурацыя: High-Side or Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 4, Тып брамы: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 18V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

HIP4082IBZTR5676

HIP4082IBZTR5676

частка акцыі: 35617

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 4, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 8.5V ~ 15V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 1V, 2.5V,

HIP6601BCBZA-T

HIP6601BCBZA-T

частка акцыі: 46701

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10.8V ~ 13.2V,

EL7242CSZ-T7

EL7242CSZ-T7

частка акцыі: 43312

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 16V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

ISL6609ACBZ

ISL6609ACBZ

частка акцыі: 31123

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 1V, 2V,

ISL89165FRTBZ-T

ISL89165FRTBZ-T

частка акцыі: 39193

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 16V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 1.85V, 3.15V,

HIP2100IRZ

HIP2100IRZ

частка акцыі: 32688

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 9V ~ 14V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 4V, 7V,

ISL6609IRZ

ISL6609IRZ

частка акцыі: 33172

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 1V, 2V,

HIP4082IBZT

HIP4082IBZT

частка акцыі: 35549

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 4, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 8.5V ~ 15V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 1V, 2.5V,

ISL6612BCRZ-T

ISL6612BCRZ-T

частка акцыі: 38940

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 7V ~ 13.2V,

ISL6612ECBZ-T

ISL6612ECBZ-T

частка акцыі: 41774

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10.8V ~ 13.2V,

ISL6613ACRZ-T

ISL6613ACRZ-T

частка акцыі: 45086

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10.8V ~ 13.2V,

ISL6620ACRZ

ISL6620ACRZ

частка акцыі: 27198

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V,

ISL2111AR4Z

ISL2111AR4Z

частка акцыі: 26660

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 8V ~ 14V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 1.4V, 2.2V,

HIP6601BCBZ

HIP6601BCBZ

частка акцыі: 23470

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10.8V ~ 13.2V,

HIP2101IBZT

HIP2101IBZT

частка акцыі: 40824

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 9V ~ 14V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

HIP2101EIBZT

HIP2101EIBZT

частка акцыі: 40814

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 9V ~ 14V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

ISL6594ACRZ

ISL6594ACRZ

частка акцыі: 43314

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10.8V ~ 13.2V,

ISL6615CRZ

ISL6615CRZ

частка акцыі: 34455

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 6.8V ~ 13.2V,

ISL6609ACRZ-T

ISL6609ACRZ-T

частка акцыі: 46196

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 1V, 2V,

ISL89163FRTBZ-T

ISL89163FRTBZ-T

частка акцыі: 39264

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 16V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 1.85V, 3.15V,

ISL6208CBZ

ISL6208CBZ

частка акцыі: 42105

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.5V, 2V,

ISL89411IBZ

ISL89411IBZ

частка акцыі: 30705

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 18V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

ISL6620IRZ

ISL6620IRZ

частка акцыі: 45921

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V,

ISL6612AECBZ-T

ISL6612AECBZ-T

частка акцыі: 41785

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10.8V ~ 13.2V,

ISL2111BR4Z-T

ISL2111BR4Z-T

частка акцыі: 34549

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 8V ~ 14V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 1.4V, 2.2V,

ISL6596CRZ

ISL6596CRZ

частка акцыі: 37921

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V,

ISL6612CBZ

ISL6612CBZ

частка акцыі: 36207

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10.8V ~ 13.2V,

ISL6612BCBZ-T

ISL6612BCBZ-T

частка акцыі: 38862

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 7V ~ 13.2V,

ISL2101AABZ

ISL2101AABZ

частка акцыі: 24097

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 9V ~ 14V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 1.4V, 2.2V,