Транзістары - FET, MOSFET - масівы | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 1

GWS9294

частка акцыі: 2995

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 10.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 1mA,

Ліст з жаданняў

Renesas Electronics America Inc.

GWS4621L

частка акцыі: 3027

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 10.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 1mA,

Ліст з жаданняў

Renesas Electronics America Inc.

KGF6N05D-400

частка акцыі: 2987

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 5.5V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 12A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 0.9V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Renesas Electronics America Inc.

KGF16N05D-400

частка акцыі: 3372

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 5.5V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 16A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 0.9V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Renesas Electronics America Inc.

GWS9293

частка акцыі: 3370

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 9.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 1mA,

Ліст з жаданняў