Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы)

5SGXMA3H3F35I3LN

5SGXMA3H3F35I3LN

частка акцыі: 59

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA3H3F35C2LN

5SGXMA3H3F35C2LN

частка акцыі: 106

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA3E2H29C2N

5SGXMA3E2H29C2N

частка акцыі: 29

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 360, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXEA3H3F35I3N

5SGXEA3H3F35I3N

частка акцыі: 29

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSMD3H2F35C2L

5SGSMD3H2F35C2L

частка акцыі: 67

Колькасць LAB / CLB: 89000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 236000, Усяго біт аператыўнай памяці: 16937984, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSMD3H2F35I3L

5SGSMD3H2F35I3L

частка акцыі: 77

Колькасць LAB / CLB: 89000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 236000, Усяго біт аператыўнай памяці: 16937984, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA3E2H29I3LN

5SGXMA3E2H29I3LN

частка акцыі: 115

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 360, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSMD3E2H29I2N

5SGSMD3E2H29I2N

частка акцыі: 78

Колькасць LAB / CLB: 89000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 236000, Усяго біт аператыўнай памяці: 16937984, Колькасць уводу-вываду: 360, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXEA4H3F35C4N

5SGXEA4H3F35C4N

частка акцыі: 61

Колькасць LAB / CLB: 158500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 420000, Усяго біт аператыўнай памяці: 43983872, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSMD4K3F40C4N

5SGSMD4K3F40C4N

частка акцыі: 107

Колькасць LAB / CLB: 135840, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 360000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23946240, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA3K2F35C3N

5SGXMA3K2F35C3N

частка акцыі: 108

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5AGXMB7G4F40I5

5AGXMB7G4F40I5

частка акцыі: 93

Колькасць LAB / CLB: 23780, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 504000, Усяго біт аператыўнай памяці: 27695104, Колькасць уводу-вываду: 704, Напружанне - харчаванне: 1.07V ~ 1.13V,

5SGSMD3E2H29I2LN

5SGSMD3E2H29I2LN

частка акцыі: 28

Колькасць LAB / CLB: 89000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 236000, Усяго біт аператыўнай памяці: 16937984, Колькасць уводу-вываду: 360, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA3K3F40C3N

5SGXMA3K3F40C3N

частка акцыі: 54

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5AGXFB7K4F40I5N

5AGXFB7K4F40I5N

частка акцыі: 92

Колькасць LAB / CLB: 23780, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 504000, Усяго біт аператыўнай памяці: 27695104, Колькасць уводу-вываду: 704, Напружанне - харчаванне: 1.07V ~ 1.13V,

5SGXEA3K3F40I4N

5SGXEA3K3F40I4N

частка акцыі: 88

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5AGXFB7K4F40C4N

5AGXFB7K4F40C4N

частка акцыі: 105

Колькасць LAB / CLB: 23780, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 504000, Усяго біт аператыўнай памяці: 27695104, Колькасць уводу-вываду: 704, Напружанне - харчаванне: 1.07V ~ 1.13V,

5AGZME3E2H29C3N

5AGZME3E2H29C3N

частка акцыі: 33

Колькасць LAB / CLB: 16980, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 360000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23946240, Колькасць уводу-вываду: 342, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5AGZME3E3H29I4N

5AGZME3E3H29I4N

частка акцыі: 37

Колькасць LAB / CLB: 16980, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 360000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23946240, Колькасць уводу-вываду: 342, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA3K3F40I4N

5SGXMA3K3F40I4N

частка акцыі: 44

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5AGXFB7H4F35I5

5AGXFB7H4F35I5

частка акцыі: 84

Колькасць LAB / CLB: 23780, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 504000, Усяго біт аператыўнай памяці: 27695104, Колькасць уводу-вываду: 544, Напружанне - харчаванне: 1.07V ~ 1.13V,

5AGZME5H3F35C4N

5AGZME5H3F35C4N

частка акцыі: 107

Колькасць LAB / CLB: 18870, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 400000, Усяго біт аператыўнай памяці: 34322432, Колькасць уводу-вываду: 534, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEA3K3F40C3N

5SGXEA3K3F40C3N

частка акцыі: 49

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA3E3H29I3N

5SGXMA3E3H29I3N

частка акцыі: 79

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 360, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA3H2F35C3N

5SGXMA3H2F35C3N

частка акцыі: 111

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSMD3H3F35I3L

5SGSMD3H3F35I3L

частка акцыі: 25

Колькасць LAB / CLB: 89000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 236000, Усяго біт аператыўнай памяці: 16937984, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA3E3H29C2LN

5SGXMA3E3H29C2LN

частка акцыі: 73

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 360, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSMD3H2F35C2LN

5SGSMD3H2F35C2LN

частка акцыі: 36

Колькасць LAB / CLB: 89000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 236000, Усяго біт аператыўнай памяці: 16937984, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEA3K3F35C3N

5SGXEA3K3F35C3N

частка акцыі: 41

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSMD3H3F35C2L

5SGSMD3H3F35C2L

частка акцыі: 72

Колькасць LAB / CLB: 89000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 236000, Усяго біт аператыўнай памяці: 16937984, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEA3H2F35C3N

5SGXEA3H2F35C3N

частка акцыі: 24

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSMD3H2F35C2N

5SGSMD3H2F35C2N

частка акцыі: 101

Колькасць LAB / CLB: 89000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 236000, Усяго біт аператыўнай памяці: 16937984, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGSMD3E2H29I3L

5SGSMD3E2H29I3L

частка акцыі: 38

Колькасць LAB / CLB: 89000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 236000, Усяго біт аператыўнай памяці: 16937984, Колькасць уводу-вываду: 360, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSMD3H2F35I3LN

5SGSMD3H2F35I3LN

частка акцыі: 89

Колькасць LAB / CLB: 89000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 236000, Усяго біт аператыўнай памяці: 16937984, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5AGXFB5K4F40I3

5AGXFB5K4F40I3

частка акцыі: 55

Колькасць LAB / CLB: 19811, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 420000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23625728, Колькасць уводу-вываду: 704, Напружанне - харчаванне: 1.12V ~ 1.18V,

5SGXMA3E3H29I3LN

5SGXMA3E3H29I3LN

частка акцыі: 96

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 360, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,