Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы)

5SGXEA3K2F35I3

5SGXEA3K2F35I3

частка акцыі: 16

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA3H2F35C1N

5SGXMA3H2F35C1N

частка акцыі: 50

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGSMD4E2H29I3N

5SGSMD4E2H29I3N

частка акцыі: 94

Колькасць LAB / CLB: 135840, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 360000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23946240, Колькасць уводу-вываду: 360, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEA3K1F35C2N

5SGXEA3K1F35C2N

частка акцыі: 41

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXEA7H3F35C4N

5SGXEA7H3F35C4N

частка акцыі: 67

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5AGZME7H2F35C3N

5AGZME7H2F35C3N

частка акцыі: 46

Колькасць LAB / CLB: 21225, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 450000, Усяго біт аператыўнай памяці: 40249344, Колькасць уводу-вываду: 534, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEA3K2F35C2L

5SGXEA3K2F35C2L

частка акцыі: 31

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEA3K1F35C2LN

5SGXEA3K1F35C2LN

частка акцыі: 113

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSMD4H3F35I3N

5SGSMD4H3F35I3N

частка акцыі: 20

Колькасць LAB / CLB: 135840, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 360000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23946240, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSMD4H3F35C2LN

5SGSMD4H3F35C2LN

частка акцыі: 77

Колькасць LAB / CLB: 135840, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 360000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23946240, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSMD4E3H29C2L

5SGSMD4E3H29C2L

частка акцыі: 20

Колькасць LAB / CLB: 135840, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 360000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23946240, Колькасць уводу-вываду: 360, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5AGZME5H2F35I3LN

5AGZME5H2F35I3LN

частка акцыі: 37

Колькасць LAB / CLB: 18870, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 400000, Усяго біт аператыўнай памяці: 34322432, Колькасць уводу-вываду: 534, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEA4H2F35C3N

5SGXEA4H2F35C3N

частка акцыі: 61

Колькасць LAB / CLB: 158500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 420000, Усяго біт аператыўнай памяці: 43983872, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEA5N3F40C4N

5SGXEA5N3F40C4N

частка акцыі: 99

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSMD4E2H29I3LN

5SGSMD4E2H29I3LN

частка акцыі: 26

Колькасць LAB / CLB: 135840, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 360000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23946240, Колькасць уводу-вываду: 360, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5AGZME7H3F35I4N

5AGZME7H3F35I4N

частка акцыі: 108

Колькасць LAB / CLB: 21225, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 450000, Усяго біт аператыўнай памяці: 40249344, Колькасць уводу-вываду: 534, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSMD4K2F40C3N

5SGSMD4K2F40C3N

частка акцыі: 79

Колькасць LAB / CLB: 135840, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 360000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23946240, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSMD4E3H29I3L

5SGSMD4E3H29I3L

частка акцыі: 62

Колькасць LAB / CLB: 135840, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 360000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23946240, Колькасць уводу-вываду: 360, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEA3H2F35C1N

5SGXEA3H2F35C1N

частка акцыі: 68

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXMA3K2F35I2N

5SGXMA3K2F35I2N

частка акцыі: 62

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXMA4K2F35C3N

5SGXMA4K2F35C3N

частка акцыі: 98

Колькасць LAB / CLB: 158500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 420000, Усяго біт аператыўнай памяці: 43983872, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA4K3F40I4N

5SGXMA4K3F40I4N

частка акцыі: 97

Колькасць LAB / CLB: 158500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 420000, Усяго біт аператыўнай памяці: 43983872, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSMD4E2H29C2N

5SGSMD4E2H29C2N

частка акцыі: 49

Колькасць LAB / CLB: 135840, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 360000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23946240, Колькасць уводу-вываду: 360, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGSMD4H3F35I3LN

5SGSMD4H3F35I3LN

частка акцыі: 72

Колькасць LAB / CLB: 135840, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 360000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23946240, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEA4H3F35I4

5SGXEA4H3F35I4

частка акцыі: 27

Колькасць LAB / CLB: 158500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 420000, Усяго біт аператыўнай памяці: 43983872, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA3K2F35I2LN

5SGXMA3K2F35I2LN

частка акцыі: 17

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEA4K3F40I4N

5SGXEA4K3F40I4N

частка акцыі: 48

Колькасць LAB / CLB: 158500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 420000, Усяго біт аператыўнай памяці: 43983872, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEA5N3F45C4N

5SGXEA5N3F45C4N

частка акцыі: 103

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA3K1F40C2N

5SGXMA3K1F40C2N

частка акцыі: 65

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGSMD4E2H29C2LN

5SGSMD4E2H29C2LN

частка акцыі: 70

Колькасць LAB / CLB: 135840, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 360000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23946240, Колькасць уводу-вываду: 360, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSMD4H3F35C2N

5SGSMD4H3F35C2N

частка акцыі: 39

Колькасць LAB / CLB: 135840, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 360000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23946240, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXEA4K3F40C3N

5SGXEA4K3F40C3N

частка акцыі: 33

Колькасць LAB / CLB: 158500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 420000, Усяго біт аператыўнай памяці: 43983872, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA3E1H29C1N

5SGXMA3E1H29C1N

частка акцыі: 17

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 360, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGSMD5H3F35C4N

5SGSMD5H3F35C4N

частка акцыі: 71

Колькасць LAB / CLB: 172600, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 457000, Усяго біт аператыўнай памяці: 46769152, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA5N3F40C4N

5SGXMA5N3F40C4N

частка акцыі: 87

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSMD4E3H29C2LN

5SGSMD4E3H29C2LN

частка акцыі: 101

Колькасць LAB / CLB: 135840, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 360000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23946240, Колькасць уводу-вываду: 360, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,