Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы)

5SGSMD6K3F40C3N

5SGSMD6K3F40C3N

частка акцыі: 40

Колькасць LAB / CLB: 220000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 583000, Усяго біт аператыўнай памяці: 54553600, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEA5K2F35C2L

5SGXEA5K2F35C2L

частка акцыі: 68

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA5N2F45C2N

5SGXMA5N2F45C2N

частка акцыі: 72

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SEEBF45C4N

5SEEBF45C4N

частка акцыі: 63

Колькасць LAB / CLB: 359250, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 952000, Усяго біт аператыўнай памяці: 65561600, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEA7H3F35C2L

5SGXEA7H3F35C2L

частка акцыі: 29

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSMD5H3F35I3L

5SGSMD5H3F35I3L

частка акцыі: 24

Колькасць LAB / CLB: 172600, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 457000, Усяго біт аператыўнай памяці: 46769152, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSMD5H3F35C2L

5SGSMD5H3F35C2L

частка акцыі: 103

Колькасць LAB / CLB: 172600, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 457000, Усяго біт аператыўнай памяці: 46769152, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEA5N2F45I3LN

5SGXEA5N2F45I3LN

частка акцыі: 90

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSMD6N3F45I4N

5SGSMD6N3F45I4N

частка акцыі: 44

Колькасць LAB / CLB: 220000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 583000, Усяго біт аператыўнай памяці: 54553600, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEA5K2F40I3L

5SGXEA5K2F40I3L

частка акцыі: 53

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA7N3F45C2N

5SGXMA7N3F45C2N

частка акцыі: 63

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXEA5N2F45C2N

5SGXEA5N2F45C2N

частка акцыі: 75

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXMA7N2F45C3N

5SGXMA7N2F45C3N

частка акцыі: 102

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA5H2F35C1N

5SGXMA5H2F35C1N

частка акцыі: 75

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXEA5K2F35I2N

5SGXEA5K2F35I2N

частка акцыі: 61

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXMA5N2F40I3N

5SGXMA5N2F40I3N

частка акцыі: 41

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEA4K1F40I2N

5SGXEA4K1F40I2N

частка акцыі: 56

Колькасць LAB / CLB: 158500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 420000, Усяго біт аператыўнай памяці: 43983872, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXMA5N2F40C2LN

5SGXMA5N2F40C2LN

частка акцыі: 30

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA7N3F40I3N

5SGXMA7N3F40I3N

частка акцыі: 12

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSED6K3F40I4N

5SGSED6K3F40I4N

частка акцыі: 12

Колькасць LAB / CLB: 220000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 583000, Усяго біт аператыўнай памяці: 54553600, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSMD5H2F35I3N

5SGSMD5H2F35I3N

частка акцыі: 24

Колькасць LAB / CLB: 172600, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 457000, Усяго біт аператыўнай памяці: 46769152, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEA5K1F35C2LN

5SGXEA5K1F35C2LN

частка акцыі: 26

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA7N3F40C2N

5SGXMA7N3F40C2N

частка акцыі: 65

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXEB6R3F43C4

5SGXEB6R3F43C4

частка акцыі: 75

Колькасць LAB / CLB: 225400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 597000, Усяго біт аператыўнай памяці: 61688832, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEA5K1F40C2N

5SGXEA5K1F40C2N

частка акцыі: 38

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXEA7N3F40C2N

5SGXEA7N3F40C2N

частка акцыі: 15

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGSMD5H2F35C2N

5SGSMD5H2F35C2N

частка акцыі: 10

Колькасць LAB / CLB: 172600, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 457000, Усяго біт аператыўнай памяці: 46769152, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGSMD5K2F40C3

5SGSMD5K2F40C3

частка акцыі: 71

Колькасць LAB / CLB: 172600, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 457000, Усяго біт аператыўнай памяці: 46769152, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA5N2F40I3LN

5SGXMA5N2F40I3LN

частка акцыі: 37

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA7K2F35C2LN

5SGXMA7K2F35C2LN

частка акцыі: 101

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEA7H2F35I3LN

5SGXEA7H2F35I3LN

частка акцыі: 15

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA4K1F35C1N

5SGXMA4K1F35C1N

частка акцыі: 92

Колькасць LAB / CLB: 158500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 420000, Усяго біт аператыўнай памяці: 43983872, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXMA7N3F45C3

5SGXMA7N3F45C3

частка акцыі: 89

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSMD5K3F40I3N

5SGSMD5K3F40I3N

частка акцыі: 92

Колькасць LAB / CLB: 172600, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 457000, Усяго біт аператыўнай памяці: 46769152, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMB6R3F40C3N

5SGXMB6R3F40C3N

частка акцыі: 39

Колькасць LAB / CLB: 225400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 597000, Усяго біт аператыўнай памяці: 61688832, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA5N2F45I3LN

5SGXMA5N2F45I3LN

частка акцыі: 93

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,