Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы)

5SGXEA7K2F40I3LN

5SGXEA7K2F40I3LN

частка акцыі: 98

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEA9N3F45C4N

5SGXEA9N3F45C4N

частка акцыі: 45

Колькасць LAB / CLB: 317000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 840000, Усяго біт аператыўнай памяці: 64210944, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEA7K2F35C2LN

5SGXEA7K2F35C2LN

частка акцыі: 27

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA7H3F35C2

5SGXMA7H3F35C2

частка акцыі: 18

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXMA5H2F35I2N

5SGXMA5H2F35I2N

частка акцыі: 69

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGSMD5K3F40C2LN

5SGSMD5K3F40C2LN

частка акцыі: 74

Колькасць LAB / CLB: 172600, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 457000, Усяго біт аператыўнай памяці: 46769152, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSMD5K3F40C2N

5SGSMD5K3F40C2N

частка акцыі: 88

Колькасць LAB / CLB: 172600, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 457000, Усяго біт аператыўнай памяці: 46769152, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXMA7K3F40I3N

5SGXMA7K3F40I3N

частка акцыі: 104

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEA7K3F40C2N

5SGXEA7K3F40C2N

частка акцыі: 18

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXEA5H2F35C1N

5SGXEA5H2F35C1N

частка акцыі: 73

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXEA4K2F35I2L

5SGXEA4K2F35I2L

частка акцыі: 75

Колькасць LAB / CLB: 158500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 420000, Усяго біт аператыўнай памяці: 43983872, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEA5N2F40C2N

5SGXEA5N2F40C2N

частка акцыі: 10

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGSMD6N3F45C3N

5SGSMD6N3F45C3N

частка акцыі: 11

Колькасць LAB / CLB: 220000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 583000, Усяго біт аператыўнай памяці: 54553600, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEA4K1F35C1N

5SGXEA4K1F35C1N

частка акцыі: 39

Колькасць LAB / CLB: 158500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 420000, Усяго біт аператыўнай памяці: 43983872, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXEA7K3F40C2LN

5SGXEA7K3F40C2LN

частка акцыі: 102

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSED6K2F40C3N

5SGSED6K2F40C3N

частка акцыі: 29

Колькасць LAB / CLB: 220000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 583000, Усяго біт аператыўнай памяці: 54553600, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGTMC5K3F40I3N

5SGTMC5K3F40I3N

частка акцыі: 75

Колькасць LAB / CLB: 160500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 425000, Усяго біт аператыўнай памяці: 52318208, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEA7K2F35I3LN

5SGXEA7K2F35I3LN

частка акцыі: 74

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA5K1F40C2N

5SGXMA5K1F40C2N

частка акцыі: 105

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXEA5N3F40C2L

5SGXEA5N3F40C2L

частка акцыі: 92

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA4H1F35C1N

5SGXMA4H1F35C1N

частка акцыі: 41

Колькасць LAB / CLB: 158500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 420000, Усяго біт аператыўнай памяці: 43983872, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXEA4H1F35C1N

5SGXEA4H1F35C1N

частка акцыі: 84

Колькасць LAB / CLB: 158500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 420000, Усяго біт аператыўнай памяці: 43983872, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXEA7N3F40I3N

5SGXEA7N3F40I3N

частка акцыі: 102

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEB5R2F40C3N

5SGXEB5R2F40C3N

частка акцыі: 10

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 48927744, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXEA5N2F40I3LN

5SGXEA5N2F40I3LN

частка акцыі: 101

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA5K1F35C2N

5SGXMA5K1F35C2N

частка акцыі: 89

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXEA5K2F40C2L

5SGXEA5K2F40C2L

частка акцыі: 82

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA5N1F40C2LN

5SGXMA5N1F40C2LN

частка акцыі: 109

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEA7K3F35C2

5SGXEA7K3F35C2

частка акцыі: 60

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXEA5N2F45I3N

5SGXEA5N2F45I3N

частка акцыі: 32

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEA5K1F40C2LN

5SGXEA5K1F40C2LN

частка акцыі: 54

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA5K2F35I2N

5SGXMA5K2F35I2N

частка акцыі: 61

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXMA7N3F45C2LN

5SGXMA7N3F45C2LN

частка акцыі: 41

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEA9K3H40C4N

5SGXEA9K3H40C4N

частка акцыі: 46

Колькасць LAB / CLB: 317000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 840000, Усяго біт аператыўнай памяці: 64210944, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA7H2F35I3LN

5SGXMA7H2F35I3LN

частка акцыі: 103

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA7N3F40C2LN

5SGXMA7N3F40C2LN

частка акцыі: 65

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,