Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 11

BCX5216H6327XTSA1

частка акцыі: 166301

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BCX5616H6327XTSA1

частка акцыі: 165579

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BCX5610H6327XTSA1

частка акцыі: 170614

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BCX5516H6433XTMA1

частка акцыі: 146212

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BCX56H6327XTSA1

частка акцыі: 163521

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BCX5116H6433XTMA1

частка акцыі: 198580

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BCX5310H6327XTSA1

частка акцыі: 177721

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BCX5116H6327XTSA1

частка акцыі: 125460

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BCX5316H6327XTSA1

частка акцыі: 157660

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BCX5216H6433XTMA1

частка акцыі: 185398

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BCX42E6433HTMA1

частка акцыі: 142226

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 125V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BFN26E6327HTSA1

частка акцыі: 148754

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BC847BL3E6327XTMA1

частка акцыі: 107829

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 15nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BC848BL3E6327XTMA1

частка акцыі: 188958

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 15nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BC857BL3E6327XTMA1

частка акцыі: 119538

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 15nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BCX41E6433HTMA1

частка акцыі: 163211

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 125V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BFN24E6327HTSA1

частка акцыі: 134283

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 250V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BCV46E6327HTSA1

частка акцыі: 127114

Тып транзістара: PNP - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BCV27E6327HTSA1

частка акцыі: 160159

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BCV47E6433HTMA1

частка акцыі: 127913

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BCV26E6327HTSA1

частка акцыі: 113386

Тып транзістара: PNP - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BC817K16WH6327XTSA1

частка акцыі: 198915

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BCW66KHE6327HTSA1

частка акцыі: 102053

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 20nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BCX71JE6327HTSA1

частка акцыі: 126835

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 20nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BC817K40E6327HTSA1

частка акцыі: 131545

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BFN27E6327HTSA1

частка акцыі: 182291

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BCX71KE6327HTSA1

частка акцыі: 104931

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 20nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BC817K16E6327HTSA1

частка акцыі: 157813

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BC847CWH6778XTSA1

частка акцыі: 132793

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 15nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BC857BWH6778XTSA1

частка акцыі: 135347

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 15nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BC817K25WH6433XTMA1

частка акцыі: 196059

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BCW66KGE6327HTSA1

частка акцыі: 160893

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 20nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BCW68GE6327HTSA1

частка акцыі: 151048

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 20nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BCW67BE6327HTSA1

частка акцыі: 118170

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 32V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 20nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BCW68FE6327HTSA1

частка акцыі: 155759

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 20nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BCW67CE6327HTSA1

частка акцыі: 158142

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 32V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 20nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

Ліст з жаданняў