Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: 3-Phase, Колькасць кіроўцаў: 6, Тып брамы: IGBT, Напружанне - харчаванне: 12.5V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 12V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: 3-Phase, Колькасць кіроўцаў: 6, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V,
Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: 3-Phase, Колькасць кіроўцаў: 6, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 12V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.6V, 3.5V,
Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10.8V ~ 13.2V,
Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, Напружанне - харчаванне: 11.5V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: 3-Phase, Колькасць кіроўцаў: 6, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 11.5V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 9V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 3.5V,
Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 3.5V,
Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 6.5V ~ 7.5V,
Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 11.4V ~ 18V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 2V, 2.15V,
Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: 3-Phase, Колькасць кіроўцаў: 6, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 6V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V,
Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V,
