Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 15

SIDC07D60AF6X1SA1

частка акцыі: 504

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 22.5A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 22.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

SIDC42D170E6X1SA2

частка акцыі: 549

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1700V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 50A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.15V @ 50A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

SIDC46D170HX1SA2

частка акцыі: 548

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1700V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 75A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 75A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

SIDC04D60F6X1SA3

частка акцыі: 504

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 9A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 9A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

SIDC23D60E6X1SA4

частка акцыі: 484

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 50A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 50A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

SIDC03D60C6X1SA2

частка акцыі: 552

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.95V @ 10A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

SIDC53D120H6X1SA3

частка акцыі: 476

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 100A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

SIDC20D60C6

частка акцыі: 567

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 75A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.9V @ 75A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

SIDC14D60F6X1SA2

частка акцыі: 533

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 45A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 45A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

SDT08S60

частка акцыі: 502

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 8A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

SDD04S60

частка акцыі: 556

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.9V @ 4A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

SDB06S60

частка акцыі: 477

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 6A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

SIDC14D120F6X1SA3

частка акцыі: 565

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.1V @ 15A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

SIDC161D170HX1SA2

частка акцыі: 473

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1700V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 300A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 300A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

IDH12S60CAKSA1

частка акцыі: 542

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 12A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 12A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

SIDC14D60E6YX1SA1

частка акцыі: 550

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 30A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 30A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

MMBD914LT3HTMA1

частка акцыі: 5105

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 250mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 4ns,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

SIDC02D60C6X1SA4

частка акцыі: 474

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.95V @ 6A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

SIDC01D60C6

частка акцыі: 468

Дыёдны тып: Standard, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

SIDC01D120H6

частка акцыі: 5086

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 600mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 600mA, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

SIDC81D120E6X1SA4

частка акцыі: 506

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.9V @ 100A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

SDT05S60

частка акцыі: 494

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 5A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 5A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

SIDC30D120F6X1SA2

частка акцыі: 491

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.1V @ 35A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

SIDC08D120F6X1SA3

частка акцыі: 502

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 7A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.1V @ 7A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

SIDC81D120H6X1SA2

частка акцыі: 5071

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 150A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 150A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

SIDC03D60F6X1SA2

частка акцыі: 474

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

IDH16S60CAKSA1

частка акцыі: 466

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 16A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 16A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

SIDC14D60E6X1SA1

частка акцыі: 5128

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 30A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 30A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

SIDC56D120F6X1SA1

частка акцыі: 552

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 75A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.1V @ 75A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

SIDC56D60E6X1SA1

частка акцыі: 541

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 150A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

SIDC11D60SIC3

частка акцыі: 494

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.9V @ 4A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

SDT10S60

частка акцыі: 5047

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 10A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

SDT10S30

частка акцыі: 246

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 300V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 10A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

SDT12S60

частка акцыі: 204

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 12A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 12A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

SDT04S60

частка акцыі: 197

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.9V @ 4A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

SDT06S60

частка акцыі: 227

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 6A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

Ліст з жаданняў