Магнітныя датчыкі - лінейныя, компас (ІС)

TLE4998C3CHAMA1

TLE4998C3CHAMA1

частка акцыі: 19732

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: PWM, Дыяпазон зандзіравання: ±50mT, ±100mT, ±200mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 8mA,

TLE4998C8XUMA2

TLE4998C8XUMA2

частка акцыі: 304

TLE5046ICPWMER050HALA1

TLE5046ICPWMER050HALA1

частка акцыі: 330

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: PWM,

TLE4998C8DXUMA2

TLE4998C8DXUMA2

частка акцыі: 332

TLE4998C3XALA1

TLE4998C3XALA1

частка акцыі: 21698

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: PWM, Дыяпазон зандзіравання: ±50mT, ±100mT, ±200mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 8mA,

TLE493DA2B6MS2GOTOBO1

TLE493DA2B6MS2GOTOBO1

частка акцыі: 266

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: I²C,

TLE4926CHTE6547HAMA1

TLE4926CHTE6547HAMA1

частка акцыі: 24808

Тэхналогія: Hall Effect, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V,

TLE4997A8XUMA1

TLE4997A8XUMA1

частка акцыі: 33091

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±50mT ~ ±200mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 10mA,

TLE4998S4HALA1

TLE4998S4HALA1

частка акцыі: 25733

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: SENT, Дыяпазон зандзіравання: ±50mT, ±100mT, ±200mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 8mA,

TLE4998P4HALA1

TLE4998P4HALA1

частка акцыі: 27098

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: PWM, Дыяпазон зандзіравання: ±50mT, ±100mT, ±200mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 8mA,

TLE4998P3XALA1

TLE4998P3XALA1

частка акцыі: 26773

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: PWM, Дыяпазон зандзіравання: ±50mT, ±100mT, ±200mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 8mA,

TLE5046ICAKLRHALA1

TLE5046ICAKLRHALA1

частка акцыі: 48597

TLE4997A8DXUMA1

TLE4997A8DXUMA1

частка акцыі: 19783

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±50mT ~ ±200mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 10mA,

TLE5009A16E1200XUMA1

TLE5009A16E1200XUMA1

частка акцыі: 36279

TLE5009A16E2210XUMA1

TLE5009A16E2210XUMA1

частка акцыі: 31255

TLE5009A16E1210XUMA1

TLE5009A16E1210XUMA1

частка акцыі: 31264

TLE4998S3XALA1

TLE4998S3XALA1

частка акцыі: 25815

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: SENT, Дыяпазон зандзіравання: ±50mT, ±100mT, ±200mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 8mA,

TLE5045ICR050HALA1

TLE5045ICR050HALA1

частка акцыі: 287

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: PWM,

TLE4998P3CHAMA1

TLE4998P3CHAMA1

частка акцыі: 19895

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: PWM, Дыяпазон зандзіравання: ±50mT, ±100mT, ±200mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 8mA,

TLE4998P8XUMA1

TLE4998P8XUMA1

частка акцыі: 39628

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Open Drain, PWM, Дыяпазон зандзіравання: ±50mT ~ ±200mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 8mA,

TLE493DW2B6A1HTSA1

TLE493DW2B6A1HTSA1

частка акцыі: 9929

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Тып выхаду: I²C, Дыяпазон зандзіравання: ±160mT ~ ±230mT, Напружанне - харчаванне: 2.8V ~ 3.5V, Ток - запас (макс.): 0.13µA,

TLE4997E2XALA1

TLE4997E2XALA1

частка акцыі: 21612

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: Unlimited, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 10mA,