Транзістары - FET, MOSFET - RF

BF1009SE6327HTSA1

частка акцыі: 6180

Тып транзістара: N-Channel, Частата: 800MHz, Прыбытак: 22dB, Напружанне - тэст: 9V, Бягучы рэйтынг: 25mA, Фігура шуму: 1.4dB,

BF1005SE6327HTSA1

частка акцыі: 6180

Тып транзістара: N-Channel, Частата: 800MHz, Прыбытак: 22dB, Напружанне - тэст: 5V, Бягучы рэйтынг: 25mA, Фігура шуму: 1.6dB,

BF1005SE6433XT

частка акцыі: 6120

Тып транзістара: N-Channel, Частата: 800MHz, Прыбытак: 22dB, Напружанне - тэст: 5V, Бягучы рэйтынг: 25mA, Фігура шуму: 1.6dB,

BF1005E6327HTSA1

частка акцыі: 6171

Тып транзістара: N-Channel, Частата: 800MHz, Прыбытак: 19dB, Напружанне - тэст: 5V, Бягучы рэйтынг: 25mA, Фігура шуму: 1.6dB,

BG3123RH6327XTSA1

частка акцыі: 6063

Тып транзістара: 2 N-Channel (Dual), Частата: 800MHz, Прыбытак: 25dB, Напружанне - тэст: 5V, Бягучы рэйтынг: 25mA, 20mA, Фігура шуму: 1.8dB,

BG3123H6327XTSA1

частка акцыі: 6033

Тып транзістара: 2 N-Channel (Dual), Частата: 800MHz, Прыбытак: 25dB, Напружанне - тэст: 5V, Бягучы рэйтынг: 25mA, 20mA, Фігура шуму: 1.8dB,

BF999E6433HTMA1

частка акцыі: 6006

Тып транзістара: N-Channel, Частата: 45MHz, Прыбытак: 27dB, Напружанне - тэст: 10V, Бягучы рэйтынг: 30mA, Фігура шуму: 2.1dB,

BF2040E6814HTSA1

частка акцыі: 51690

Тып транзістара: N-Channel, Частата: 800MHz, Прыбытак: 23dB, Напружанне - тэст: 5V, Бягучы рэйтынг: 40mA, Фігура шуму: 1.6dB,

BF999E6327HTSA1

частка акцыі: 154275

Тып транзістара: N-Channel, Частата: 45MHz, Прыбытак: 27dB, Напружанне - тэст: 10V, Бягучы рэйтынг: 30mA, Фігура шуму: 2.1dB,

PXFC211507SCV1R250XTMA1

частка акцыі: 1238

PTAC260302SCV1S250XTMA1

частка акцыі: 6409

PXFC212551SCV1R250XTMA1

частка акцыі: 807

PXFC193808SVV1R250XTMA1

частка акцыі: 581

PTFB191501EV1XWSA1

частка акцыі: 6448

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 1.99GHz, Прыбытак: 18dB, Напружанне - тэст: 30V,

PTFB212507SHV1R250XTMA1

частка акцыі: 782

PTVA093002TCV1R250XUMA1

частка акцыі: 852

PTFB093608SVV2R250XTMA1

частка акцыі: 637

PTAB182002TCV2R250XUMA1

частка акцыі: 896

PXFC192207SHV1R250XTMA1

частка акцыі: 836

PTRA093302DC V1

частка акцыі: 6377

PTFA071701EV4R250XTMA1

частка акцыі: 6203

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 765MHz, Прыбытак: 18.7dB, Напружанне - тэст: 30V,

PTFA192001EV4T350XWSA1

частка акцыі: 4638

PTFA091201GL V1

частка акцыі: 6134

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 960MHz, Прыбытак: 18.5dB, Напружанне - тэст: 28V, Бягучы рэйтынг: 10µA,

PTFA192001FV4FWSA1

частка акцыі: 6200

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 1.99GHz, Прыбытак: 15.9dB, Напружанне - тэст: 30V, Бягучы рэйтынг: 10µA,

PTFA212001EV4R250XTMA1

частка акцыі: 672

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.14GHz, Прыбытак: 15.8dB, Напружанне - тэст: 30V, Бягучы рэйтынг: 10µA,

PTFA211801E V4

частка акцыі: 4626

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.14GHz, Прыбытак: 15.5dB, Напружанне - тэст: 28V, Бягучы рэйтынг: 10µA,

PTFA212001EV4R0XTMA1

частка акцыі: 605

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.11GHz ~ 2.17GHz, Прыбытак: 15.8dB, Напружанне - тэст: 30V, Бягучы рэйтынг: 10µA,

PTAB182002TCV2R250XTMA1

частка акцыі: 6265

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 1.805GHz ~ 1.88GHz, Прыбытак: 14.8dB, Напружанне - тэст: 28V, Бягучы рэйтынг: 10µA,

PTFB211803ELV1R250XTMA1

частка акцыі: 927

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.17GHz, Прыбытак: 17.5dB, Напружанне - тэст: 30V,

PTFA241301F V1

частка акцыі: 6190

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.42GHz, Прыбытак: 14dB, Напружанне - тэст: 28V, Бягучы рэйтынг: 10µA,

PTFA190451EV4XWSA1

частка акцыі: 6188

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 1.96GHz, Прыбытак: 17.5dB, Напружанне - тэст: 28V, Бягучы рэйтынг: 10µA,

PTFA071701EV4XWSA1

частка акцыі: 6168

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 765MHz, Прыбытак: 18.7dB, Напружанне - тэст: 30V,

PTFA260851F V1

частка акцыі: 6140

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.68GHz, Прыбытак: 14dB, Напружанне - тэст: 28V, Бягучы рэйтынг: 10µA,

PTAC240502FCV1XWSA1

частка акцыі: 6292

PTFB093608FVV2R250XTMA1

частка акцыі: 6241

PTFA041501HL V1

частка акцыі: 6118

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 470MHz, Прыбытак: 21dB, Напружанне - тэст: 28V, Бягучы рэйтынг: 1µA,