Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя
IPZ40N04S55R4ATMA1
Infineon Technologies

IPZ40N04S55R4ATMA1

частка акцыі: 115953

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 40A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 20A, 10V,

Ліст з жаданняў
SPP80N06S2L-11
Infineon Technologies

SPP80N06S2L-11

частка акцыі: 254

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 55V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 80A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 40A, 10V,

Ліст з жаданняў
SPD08P06P
Infineon Technologies

SPD08P06P

частка акцыі: 6070

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 8.83A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 6.2A, 10V,

Ліст з жаданняў
IPD20N03L
Infineon Technologies

IPD20N03L

частка акцыі: 144

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 30A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 15A, 10V,

Ліст з жаданняў
SPP100N04S2L-03
Infineon Technologies

SPP100N04S2L-03

частка акцыі: 254

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 100A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 80A, 10V,

Ліст з жаданняў
SPB10N10 G
Infineon Technologies

SPB10N10 G

частка акцыі: 204

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 10.3A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 7.8A, 10V,

Ліст з жаданняў
SPP80N04S2L-03
Infineon Technologies

SPP80N04S2L-03

частка акцыі: 241

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 80A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 80A, 10V,

Ліст з жаданняў
IPP100N06S3-03
Infineon Technologies

IPP100N06S3-03

частка акцыі: 189

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 55V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 100A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 80A, 10V,

Ліст з жаданняў
SPU30P06P
Infineon Technologies

SPU30P06P

частка акцыі: 246

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 30A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 21.5A, 10V,

Ліст з жаданняў
SPD26N06S2L-35
Infineon Technologies

SPD26N06S2L-35

частка акцыі: 254

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 55V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 30A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 13A, 10V,

Ліст з жаданняў
IRF6611TR1PBF
Infineon Technologies

IRF6611TR1PBF

частка акцыі: 96

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 32A (Ta), 150A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 27A, 10V,

Ліст з жаданняў
SPB12N50C3ATMA1
Infineon Technologies

SPB12N50C3ATMA1

частка акцыі: 241

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 560V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 11.6A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 7A, 10V,

Ліст з жаданняў
IPD20N03L G
Infineon Technologies

IPD20N03L G

частка акцыі: 189

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 30A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 15A, 10V,

Ліст з жаданняў
SPB70N10L
Infineon Technologies

SPB70N10L

частка акцыі: 157

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 70A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 50A, 10V,

Ліст з жаданняў
IRFS3207ZPBF
Infineon Technologies

IRFS3207ZPBF

частка акцыі: 22664

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 75V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 120A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 75A, 10V,

Ліст з жаданняў
SPB80N06S2L-07
Infineon Technologies

SPB80N06S2L-07

частка акцыі: 265

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 55V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 80A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 60A, 10V,

Ліст з жаданняў
IPP06CN10N G
Infineon Technologies

IPP06CN10N G

частка акцыі: 186

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 100A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 100A, 10V,

Ліст з жаданняў
IPI80N06S3L-05
Infineon Technologies

IPI80N06S3L-05

частка акцыі: 129

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 55V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 80A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 69A, 10V,

Ліст з жаданняў
IPB06N03LB
Infineon Technologies

IPB06N03LB

частка акцыі: 137

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 50A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 50A, 10V,

Ліст з жаданняў
IRF6628TRPBF
Infineon Technologies

IRF6628TRPBF

частка акцыі: 147

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 25V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 27A (Ta), 160A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 27A, 10V,

Ліст з жаданняў
SPB160N04S2L03DTMA1
Infineon Technologies

SPB160N04S2L03DTMA1

частка акцыі: 128

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 160A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 80A, 10V,

Ліст з жаданняў
SPP24N60C3HKSA1
Infineon Technologies

SPP24N60C3HKSA1

частка акцыі: 237

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 650V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 24.3A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 15.4A, 10V,

Ліст з жаданняў
IPP065N06LGAKSA1
Infineon Technologies

IPP065N06LGAKSA1

частка акцыі: 146

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 80A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 80A, 10V,

Ліст з жаданняў
SPD30N06S2L-13
Infineon Technologies

SPD30N06S2L-13

частка акцыі: 248

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 55V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 30A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 30A, 10V,

Ліст з жаданняў
SPB11N60S5ATMA1
Infineon Technologies

SPB11N60S5ATMA1

частка акцыі: 297

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 600V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 11A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 7A, 10V,

Ліст з жаданняў
SPB04N50C3ATMA1
Infineon Technologies

SPB04N50C3ATMA1

частка акцыі: 100790

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 560V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4.5A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 2.8A, 10V,

Ліст з жаданняў
IPS09N03LB G
Infineon Technologies

IPS09N03LB G

частка акцыі: 154

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 50A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 50A, 10V,

Ліст з жаданняў
SPB35N10 G
Infineon Technologies

SPB35N10 G

частка акцыі: 5636

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 35A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 26.4A, 10V,

Ліст з жаданняў
SPP80N03S2L04AKSA1
Infineon Technologies

SPP80N03S2L04AKSA1

частка акцыі: 271

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 80A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 80A, 10V,

Ліст з жаданняў
IPSH6N03LB G
Infineon Technologies

IPSH6N03LB G

частка акцыі: 216

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 50A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 50A, 10V,

Ліст з жаданняў
IPB04N03LB
Infineon Technologies

IPB04N03LB

частка акцыі: 172

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 80A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 55A, 10V,

Ліст з жаданняў
IRFPS3810PBF
Infineon Technologies

IRFPS3810PBF

частка акцыі: 7201

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 170A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 100A, 10V,

Ліст з жаданняў
IRF6612TR1PBF
Infineon Technologies

IRF6612TR1PBF

частка акцыі: 147

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 24A (Ta), 136A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 24A, 10V,

Ліст з жаданняў
IPF10N03LA G
Infineon Technologies

IPF10N03LA G

частка акцыі: 6084

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 25V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 30A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4 mOhm @ 30A, 10V,

Ліст з жаданняў
IPFH6N03LA G
Infineon Technologies

IPFH6N03LA G

частка акцыі: 149

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 25V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 50A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 50A, 10V,

Ліст з жаданняў
SPP80N06S2-08
Infineon Technologies

SPP80N06S2-08

частка акцыі: 297

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 55V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 80A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 58A, 10V,

Ліст з жаданняў