Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - Выпрамнікі - Масівы

  • Дом
  •  
  • Дыёды - Выпрамнікі - Масівы
MBRTA40020L
GeneSiC Semiconductor

MBRTA40020L

частка акцыі: 4245

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 580mV @ 200A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRF12060R
GeneSiC Semiconductor

MBRF12060R

частка акцыі: 4275

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRT40040L
GeneSiC Semiconductor

MBRT40040L

частка акцыі: 4258

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 200A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRTA40045RL
GeneSiC Semiconductor

MBRTA40045RL

частка акцыі: 4303

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 200A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRTA80020L
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80020L

частка акцыі: 4233

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 400A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 580mV @ 400A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRF50045R
GeneSiC Semiconductor

MBRF50045R

частка акцыі: 4203

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 250A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 250A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRF200200R
GeneSiC Semiconductor

MBRF200200R

частка акцыі: 4205

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRF60030R
GeneSiC Semiconductor

MBRF60030R

частка акцыі: 4236

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 300A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 300A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRF60080R
GeneSiC Semiconductor

MBRF60080R

частка акцыі: 4250

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 300A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 840mV @ 250A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MURF40060
GeneSiC Semiconductor

MURF40060

частка акцыі: 4306

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 200A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRTA80080
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80080

частка акцыі: 4293

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 400A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 840mV @ 400A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRTA80030R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80030R

частка акцыі: 4272

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 400A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 720mV @ 400A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRF12080
GeneSiC Semiconductor

MBRF12080

частка акцыі: 4189

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 840mV @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRTA80045RL
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80045RL

частка акцыі: 4278

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 400A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 400A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRF60040R
GeneSiC Semiconductor

MBRF60040R

частка акцыі: 4283

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 300A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 300A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRF50035R
GeneSiC Semiconductor

MBRF50035R

частка акцыі: 4245

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 250A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 250A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR60035CTL
GeneSiC Semiconductor

MBR60035CTL

частка акцыі: 4205

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 300A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 300A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRF200150
GeneSiC Semiconductor

MBRF200150

частка акцыі: 4237

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 880mV @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR30040CTRL
GeneSiC Semiconductor

MBR30040CTRL

частка акцыі: 4163

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRTA80035L
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80035L

частка акцыі: 4230

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 400A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 400A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRF30040R
GeneSiC Semiconductor

MBRF30040R

частка акцыі: 4291

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRF600100
GeneSiC Semiconductor

MBRF600100

частка акцыі: 4253

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 250A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 840mV @ 250A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
FST6380M
GeneSiC Semiconductor

FST6380M

частка акцыі: 4208

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 840mV @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRF200200
GeneSiC Semiconductor

MBRF200200

частка акцыі: 4239

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MURF40005
GeneSiC Semiconductor

MURF40005

частка акцыі: 4307

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
FST6315M
GeneSiC Semiconductor

FST6315M

частка акцыі: 4423

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 15V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRT40045RL
GeneSiC Semiconductor

MBRT40045RL

частка акцыі: 4185

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 200A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRTA60030
GeneSiC Semiconductor

MBRTA60030

частка акцыі: 4230

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 300A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 300A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
FST7330M
GeneSiC Semiconductor

FST7330M

частка акцыі: 4220

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 35A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
UFT7360M
GeneSiC Semiconductor

UFT7360M

частка акцыі: 4241

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 70A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 35A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRT60045RL
GeneSiC Semiconductor

MBRT60045RL

частка акцыі: 4186

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 300A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 300A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
FST83100M
GeneSiC Semiconductor

FST83100M

частка акцыі: 6711

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 80A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 840mV @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MURF10060R
GeneSiC Semiconductor

MURF10060R

частка акцыі: 1343

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 50A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
FST8335SM
GeneSiC Semiconductor

FST8335SM

частка акцыі: 4418

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 80A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MURF10010R
GeneSiC Semiconductor

MURF10010R

частка акцыі: 1342

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 50A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MURF20005
GeneSiC Semiconductor

MURF20005

частка акцыі: 1290

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў