Памяць | Інтэгральныя схемы (ІС) | 2

MB85RC64APNF-G-JNERE1

частка акцыі: 62916

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 64Kb (8K x 8), Часавая частата: 1MHz,

Ліст з жаданняў

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RC64APNF-G-JNE1

частка акцыі: 44700

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 64Kb (8K x 8), Часавая частата: 1MHz,

Ліст з жаданняў

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RC128PNF-G-JNE1

частка акцыі: 40709

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 128Kb (16K x 8), Часавая частата: 400kHz,

Ліст з жаданняў

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RC64PNF-G-JNERE1

частка акцыі: 62994

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 64Kb (8K x 8), Часавая частата: 400kHz,

Ліст з жаданняў

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS128TYPNF-GS-BCERE1

частка акцыі: 222

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 128Kb (16K x 8), Часавая частата: 33MHz,

Ліст з жаданняў

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS64PNF-G-JNERE1

частка акцыі: 16256

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 64Kb (8K x 8), Часавая частата: 20MHz,

Ліст з жаданняў

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RC64VPNF-G-JNERE1

частка акцыі: 60324

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 64Kb (8K x 8), Часавая частата: 1MHz,

Ліст з жаданняў

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS64VPNF-G-JNERE1

частка акцыі: 60388

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 64Kb (8K x 8), Часавая частата: 20MHz,

Ліст з жаданняў

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS64PNF-G-JNE1

частка акцыі: 32850

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 64Kb (8K x 8), Часавая частата: 20MHz,

Ліст з жаданняў

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RC64PNF-G-JNE1

частка акцыі: 44678

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 64Kb (8K x 8), Часавая частата: 400kHz,

Ліст з жаданняў

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS16PNF-G-JNERE1

частка акцыі: 89231

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 16Kb (2K x 8), Часавая частата: 20MHz,

Ліст з жаданняў

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RC64TAPN-G-AMEWE1

частка акцыі: 68832

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 64Kb (8K x 8), Часавая частата: 3.4MHz,

Ліст з жаданняў

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RC04VPNF-G-JNERE1

частка акцыі: 151522

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 4Kb (512 x 8), Часавая частата: 1MHz,

Ліст з жаданняў

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS16NPN-G-AMEWE1

частка акцыі: 86358

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 16Kb (2K x 8), Часавая частата: 20MHz,

Ліст з жаданняў

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RC64TAPNF-G-BDERE1

частка акцыі: 68888

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 64Kb (8K x 8), Часавая частата: 3.4MHz,

Ліст з жаданняў

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RC16PN-G-AMERE1

частка акцыі: 91121

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 16Kb (2K x 8), Часавая частата: 1MHz,

Ліст з жаданняў

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1

частка акцыі: 83146

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 16Kb (2K x 8), Часавая частата: 1MHz,

Ліст з жаданняў

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RC16PNF-G-JNERE1

частка акцыі: 149

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 16Kb (2K x 8), Часавая частата: 1MHz,

Ліст з жаданняў

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RC16PNF-G-JNE1

частка акцыі: 95138

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 16Kb (2K x 8), Часавая частата: 1MHz,

Ліст з жаданняў

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS16NPNF-G-JNERE1

частка акцыі: 89204

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 16Kb (2K x 8), Часавая частата: 20MHz,

Ліст з жаданняў

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RC16VPNF-G-JNN1E1

частка акцыі: 83108

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 16Kb (2K x 8), Часавая частата: 1MHz,

Ліст з жаданняў