Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Памяць

MB85RC16VPNF-G-JNERE1
Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RC16VPNF-G-JNERE1

частка акцыі: 8652

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 16Kb (2K x 8), Часавая частата: 1MHz,

Ліст з жаданняў
MB85R256GPF-G-BND-ERE1
Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85R256GPF-G-BND-ERE1

частка акцыі: 5900

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 256Kb (32K x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 150ns,

Ліст з жаданняў
MB85R256GPF-G-BNDE1
Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85R256GPF-G-BNDE1

частка акцыі: 8589

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 256Kb (32K x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 150ns,

Ліст з жаданняў
MB85R256FPF-G-BNDE1
Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85R256FPF-G-BNDE1

частка акцыі: 5898

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 256Kb (32K x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 150ns,

Ліст з жаданняў
MB85R256FPF-G-BND-ERE1
Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85R256FPF-G-BND-ERE1

частка акцыі: 8573

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 256Kb (32K x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 150ns,

Ліст з жаданняў
MB85RC16VPNF-G-JNE1
Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RC16VPNF-G-JNE1

частка акцыі: 83162

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 16Kb (2K x 8), Часавая частата: 1MHz,

Ліст з жаданняў
MB85RS256BPNF-G-JNE1
Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS256BPNF-G-JNE1

частка акцыі: 4627

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 256Kb (32K x 8), Часавая частата: 33MHz,

Ліст з жаданняў
MB85RS128BPNF-G-JNE1
Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS128BPNF-G-JNE1

частка акцыі: 24522

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 128Kb (16K x 8), Часавая частата: 33MHz,

Ліст з жаданняў
MB85R4002ANC-GE1
Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85R4002ANC-GE1

частка акцыі: 5910

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 4Mb (256K x 16), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 150ns,

Ліст з жаданняў
MB85R4001ANC-GE1
Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85R4001ANC-GE1

частка акцыі: 5917

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 4Mb (512K x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 150ns,

Ліст з жаданняў
MB85R4M2TFN-G-ASE1
Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85R4M2TFN-G-ASE1

частка акцыі: 5602

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 4Mb (256K x 16), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 150ns,

Ліст з жаданняў
MB85R1001ANC-GE1
Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85R1001ANC-GE1

частка акцыі: 8682

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 1Mb (128K x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 150ns,

Ліст з жаданняў
MB85RS2MTPH-G-JNE1
Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS2MTPH-G-JNE1

частка акцыі: 12664

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 2Mb (256K x 8), Часавая частата: 25MHz,

Ліст з жаданняў
MB85RS2MTPF-G-JNERE2
Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS2MTPF-G-JNERE2

частка акцыі: 13616

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 2Mb (256K x 8), Часавая частата: 25MHz,

Ліст з жаданняў
MB85RQ4MLPF-G-BCERE1
Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RQ4MLPF-G-BCERE1

частка акцыі: 9454

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 4Mb (512K x 8), Часавая частата: 108MHz,

Ліст з жаданняў
MB85RS1MTPH-G-JNE1
Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS1MTPH-G-JNE1

частка акцыі: 12974

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 1Mb (128K x 8), Часавая частата: 40MHz,

Ліст з жаданняў
MB85R1002ANC-GE1
Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85R1002ANC-GE1

частка акцыі: 11659

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 1Mb (64K x 16), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 150ns,

Ліст з жаданняў
MB85RS2MTAPH-G-JNE2
Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS2MTAPH-G-JNE2

частка акцыі: 1254

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 2Mb (256K x 8), Часавая частата: 40MHz,

Ліст з жаданняў
MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1
Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1

частка акцыі: 14925

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 2Mb (256K x 8), Часавая частата: 40MHz,

Ліст з жаданняў
MB85R256FPNF-G-JNERE2
Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85R256FPNF-G-JNERE2

частка акцыі: 160

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 256Kb (32K x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 150ns,

Ліст з жаданняў
MB85R256FPFCN-G-BNDE1
Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85R256FPFCN-G-BNDE1

частка акцыі: 16052

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 256Kb (32K x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 150ns,

Ліст з жаданняў
MB85AS4MTPF-G-BCERE1
Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85AS4MTPF-G-BCERE1

частка акцыі: 17745

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: RAM, Тэхналогія: ReRAM (Resistive RAM), Памер памяці: 4Mb (512K x 8), Часавая частата: 5MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 17ms,

Ліст з жаданняў
MB85RC512TPNF-G-JNERE1
Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RC512TPNF-G-JNERE1

частка акцыі: 21629

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 512Kb (64K x 8), Часавая частата: 3.4MHz,

Ліст з жаданняў
MB85RC1MTPNF-G-JNERE1
Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RC1MTPNF-G-JNERE1

частка акцыі: 18230

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 1Mb (128K x 8), Часавая частата: 3.4MHz,

Ліст з жаданняў
MB85RS1MTPW-G-APEWE1
Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS1MTPW-G-APEWE1

частка акцыі: 18188

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 1Mb (128K x 8), Часавая частата: 40MHz,

Ліст з жаданняў
MB85RS1MTPNF-G-JNERE1
Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS1MTPNF-G-JNERE1

частка акцыі: 18207

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 1Mb (128K x 8), Часавая частата: 40MHz,

Ліст з жаданняў
MB85RS512TPNF-G-JNERE1
Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS512TPNF-G-JNERE1

частка акцыі: 21656

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 512Kb (64K x 8), Часавая частата: 30MHz,

Ліст з жаданняў
MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1
Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1

частка акцыі: 205

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 256Kb (32K x 8), Часавая частата: 33MHz,

Ліст з жаданняў
MB85RS128BPNF-G-JNERE1
Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS128BPNF-G-JNERE1

частка акцыі: 36051

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 128Kb (16K x 8), Часавая частата: 33MHz,

Ліст з жаданняў
MB85RC256VPF-G-JNERE2
Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RC256VPF-G-JNERE2

частка акцыі: 32025

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 256Kb (32K x 8), Часавая частата: 1MHz,

Ліст з жаданняў
MB85RC128APNF-G-JNE1
Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RC128APNF-G-JNE1

частка акцыі: 28871

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 128Kb (16K x 8), Часавая частата: 1MHz,

Ліст з жаданняў
MB85RC256VPNF-G-JNERE1
Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RC256VPNF-G-JNERE1

частка акцыі: 31777

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 256Kb (32K x 8), Часавая частата: 1MHz,

Ліст з жаданняў
MB85RS256APNF-G-JNE1
Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS256APNF-G-JNE1

частка акцыі: 25238

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 256Kb (32K x 8), Часавая частата: 25MHz,

Ліст з жаданняў
MB85RS256BPNF-G-JNERE1
Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS256BPNF-G-JNERE1

частка акцыі: 31758

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 256Kb (32K x 8), Часавая частата: 33MHz,

Ліст з жаданняў
MB85RS128APNF-G-JNE1
Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS128APNF-G-JNE1

частка акцыі: 34694

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 128Kb (16K x 8), Часавая частата: 25MHz,

Ліст з жаданняў
MB85RC128APNF-G-JNERE1
Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RC128APNF-G-JNERE1

частка акцыі: 42528

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 128Kb (16K x 8), Часавая частата: 1MHz,

Ліст з жаданняў