Памяць

S29PL127J70BAW023

частка акцыі: 8422

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 128Mb (8M x 16), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 70ns,

S25FL064P0XMFV001M

частка акцыі: 3156

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 64Mb (8M x 8), Часавая частата: 104MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5µs, 3ms,

V29GL512P10TAI010

частка акцыі: 2668

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 512Mb (32M x 16),

IS29GL512S-11TFV013

частка акцыі: 6266

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 512Mb (64M x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 60ns,

CY14B101KA-SP45XIT

частка акцыі: 4170

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: NVSRAM, Тэхналогія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Памер памяці: 1Mb (128K x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 45ns,

S29GL512P11TFIV10

частка акцыі: 5632

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 512Mb (32M x 16), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 110ns,

QMP29GL512P11FFI020

частка акцыі: 1813

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 512Mb (32M x 16),

FM28V102A-TGTR

частка акцыі: 4575

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 1Mb (64K x 16), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 90ns,

IS29GL256S-10DHB013

частка акцыі: 5923

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 256Mb (32M x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 60ns,

S25FL164K0XBHVS33

частка акцыі: 3764

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 64Mb (8M x 8), Часавая частата: 108MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 3ms,

CY7C0241E-25AXC

частка акцыі: 4565

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: SRAM, Тэхналогія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Памер памяці: 72Kb (4K x 18), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 25ns,

S25FL132K0XNFN010

частка акцыі: 466

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 32Mb (4M x 8), Часавая частата: 108MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 3ms,

S99GL512P11TFI010

частка акцыі: 2501

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 512Mb (32M x 16),

S99-50249 P

частка акцыі: 2378

S70FL256P0XBHI210A

частка акцыі: 9547

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 256Mb (32M x 8), Часавая частата: 104MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5µs,

S29PL127J65BAI000

частка акцыі: 7420

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 128Mb (8M x 16), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 65ns,

IS29GL01GS-11DHV01

частка акцыі: 7436

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 1Gb (128M x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 60ns,

S34SL04G200BHV000

частка акцыі: 7363

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 4Gb (512M x 8),

S72XS256RE0AHBH10

частка акцыі: 3886

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, RAM, Тэхналогія: FLASH, DRAM, Памер памяці: 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM, Часавая частата: 108MHz,

IS29GL256S-10TFV010

частка акцыі: 5979

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 256Mb (32M x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 60ns,

S99ML01G10044

частка акцыі: 12740

IS29GL128S-10DHB013

частка акцыі: 6950

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 128Mb (16M x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 60ns,

S70GL02GP12FFI012

частка акцыі: 2281

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

IS29GL128S-10DHV020

частка акцыі: 5655

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 128Mb (16M x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 60ns,

S29PL064J70BFI122

частка акцыі: 12719

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 64Mb (4M x 16), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 70ns,

CY62167GE30-45BV1XI

частка акцыі: 5245

CY7C1041D-2XWI

частка акцыі: 2735

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: SRAM, Тэхналогія: SRAM - Asynchronous, Памер памяці: 4Mb (256K x 16),

CY62167G30-45BVXIT

частка акцыі: 4511

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: SRAM, Тэхналогія: SRAM - Asynchronous, Памер памяці: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 45ns,

CG8257AA

частка акцыі: 2679

FM18W08-SG

частка акцыі: 4070

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 256Kb (32K x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 130ns,

S29PL127J80TFI140

частка акцыі: 6459

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 128Mb (8M x 16), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 80ns,

CY14B101LA-SP25XIT

частка акцыі: 3826

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: NVSRAM, Тэхналогія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Памер памяці: 1Mb (128K x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 25ns,

QMP29GL512P10FFI020

частка акцыі: 1765

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 512Mb (32M x 16),

S29GL01GP13TFIH20D

частка акцыі: 5462

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 1Gb (128M x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 130ns,

S25FL032P0XNFV011M

частка акцыі: 2964

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 32Mb (4M x 8), Часавая частата: 104MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5µs, 3ms,

S25FL064P0XNFV000M

частка акцыі: 381

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 64Mb (8M x 8), Часавая частата: 104MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5µs, 3ms,