Памяць

S29PL127J70BAI020

частка акцыі: 7324

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 128Mb (8M x 16), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 70ns,

VLK-580940331

частка акцыі: 7372

S34ML02G200BHA003

частка акцыі: 11235

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 2Gb (256M x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 25ns,

S25FL032P0XNFV003M

частка акцыі: 3009

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 32Mb (4M x 8), Часавая частата: 104MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5µs, 3ms,

S70GL02GP12FFI023

частка акцыі: 9256

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

IS29GL01GS-11DHV013

частка акцыі: 9109

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 1Gb (128M x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 60ns,

IS29GL128S-10DHV023

частка акцыі: 638

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 128Mb (16M x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 60ns,

QMPGL01GP12TFI010

частка акцыі: 2037

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 1Gb (128M x 8),

S34ML08G201TFV003

частка акцыі: 5166

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 8Gb (1G x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 25ns,

IS29GL256S-10DHB020

частка акцыі: 5969

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 256Mb (32M x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 60ns,

S25FL032P0XNFI000M

частка акцыі: 332

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 32Mb (4M x 8), Часавая частата: 104MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5µs, 3ms,

IS29GL512S-11DHV013

частка акцыі: 6307

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 512Mb (64M x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 60ns,

FM25L04B-GA4

частка акцыі: 1741

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 4Kb (512 x 8),

CY7C1051DV33-10BAXIT

частка акцыі: 4185

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: SRAM, Тэхналогія: SRAM - Asynchronous, Памер памяці: 8Mb (512K x 16), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 10ns,

CY7C1069AV33-1XW14

частка акцыі: 2771

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: SRAM, Тэхналогія: SRAM - Asynchronous, Памер памяці: 16Mb (2M x 8),

QMP29GL512P10FFI010

частка акцыі: 1769

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 512Mb (32M x 16),

IS29GL256S-10TFV013

частка акцыі: 6020

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 256Mb (32M x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 60ns,

S34MS02G104BHB013

частка акцыі: 9504

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 2Gb (128M x 16), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 45ns,

S99FL164KBIS0

частка акцыі: 3584

IS29GL01GS-11DHB01

частка акцыі: 7378

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 1Gb (128M x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 60ns,

S99GL512P10TFIR20

частка акцыі: 2453

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 512Mb (32M x 16),

S99FL132KMM43

частка акцыі: 7128

S29GL512P10TFIR10D

частка акцыі: 5573

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 512Mb (32M x 16), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 100ns,

S29WS512R0SBHW000

частка акцыі: 3879

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 512Mb (32M x 16), Часавая частата: 104MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 60ns,

S29GL512P11TFIV20

частка акцыі: 5692

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 512Mb (32M x 16), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 110ns,

S25FL132K0XMFN010

частка акцыі: 3688

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 32Mb (4M x 8), Часавая частата: 108MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 3ms,

IS29GL01GS-11DHB020

частка акцыі: 6543

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 1Gb (128M x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 60ns,

QMP29GL512P11TAI010

частка акцыі: 9248

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 512Mb (32M x 16),

S25FL032P0XNFI010M

частка акцыі: 2891

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 32Mb (4M x 8), Часавая частата: 104MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5µs, 3ms,

S70GL02GP12FFI022

частка акцыі: 2262

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

V29GL01GP11FFIR20

частка акцыі: 2577

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 1Gb (128M x 8),

S99GL01GP0609

частка акцыі: 5709

CY62167G18-55BVXIT

частка акцыі: 4471

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: SRAM, Тэхналогія: SRAM - Asynchronous, Памер памяці: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 55ns,

QMP29GL512P10TFIR20D

частка акцыі: 1780

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 512Mb (32M x 16),

QMP29GL512P10TAI010

частка акцыі: 1776

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 512Mb (32M x 16),

CG8249AA

частка акцыі: 2703