Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя
CMSZ5249B TR
Central Semiconductor Corp

CMSZ5249B TR

частка акцыі: 129784

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 19V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 275mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 23 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 14V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CMOZ4V3 TR
Central Semiconductor Corp

CMOZ4V3 TR

частка акцыі: 191238

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CMDZ5256B BK
Central Semiconductor Corp

CMDZ5256B BK

частка акцыі: 175779

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 30V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 49 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 23V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CLL5260B TR
Central Semiconductor Corp

CLL5260B TR

частка акцыі: 156441

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 43V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 93 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 33V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CMDZ5257B BK
Central Semiconductor Corp

CMDZ5257B BK

частка акцыі: 131710

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 58 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 25V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CMDZ5259B BK
Central Semiconductor Corp

CMDZ5259B BK

частка акцыі: 131739

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 39V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 30V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CMZ5955B TR13
Central Semiconductor Corp

CMZ5955B TR13

частка акцыі: 162458

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 180V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 900 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 136.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CMPZ5250B TR
Central Semiconductor Corp

CMPZ5250B TR

частка акцыі: 151337

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 15V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CMPZ5232B BK
Central Semiconductor Corp

CMPZ5232B BK

частка акцыі: 196328

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.6V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 11 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 3V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CLL4732A TR
Central Semiconductor Corp

CLL4732A TR

частка акцыі: 146693

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CMPZ5238B TR
Central Semiconductor Corp

CMPZ5238B TR

частка акцыі: 198522

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 6.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CMSZ5248B TR
Central Semiconductor Corp

CMSZ5248B TR

частка акцыі: 177566

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 275mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 21 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 14V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CMSZ5253B TR
Central Semiconductor Corp

CMSZ5253B TR

частка акцыі: 155412

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 25V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 275mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 35 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 19V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CMHZ5265B TR
Central Semiconductor Corp

CMHZ5265B TR

частка акцыі: 140264

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 62V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 185 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 47V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CMDZ1L8 TR
Central Semiconductor Corp

CMDZ1L8 TR

частка акцыі: 133112

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 1.8V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 1200 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 25µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CMHZ5238B TR
Central Semiconductor Corp

CMHZ5238B TR

частка акцыі: 104511

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 6.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CMDZ5L6 TR
Central Semiconductor Corp

CMDZ5L6 TR

частка акцыі: 171818

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.6V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 325 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CMZ5946B TR13
Central Semiconductor Corp

CMZ5946B TR13

частка акцыі: 149541

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 75V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 140 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 56V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CMSZ5222B TR
Central Semiconductor Corp

CMSZ5222B TR

частка акцыі: 160230

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.5V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CMDZ5231B BK
Central Semiconductor Corp

CMDZ5231B BK

частка акцыі: 171021

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 17 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CLL5239B TR
Central Semiconductor Corp

CLL5239B TR

частка акцыі: 169490

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CMHZ5258B TR
Central Semiconductor Corp

CMHZ5258B TR

частка акцыі: 122077

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 36V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 27V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CLL5243B TR
Central Semiconductor Corp

CLL5243B TR

частка акцыі: 125554

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 13 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 9.9V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CMDZ5245B BK
Central Semiconductor Corp

CMDZ5245B BK

частка акцыі: 118614

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 16 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 11V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CMPZ5224B TR
Central Semiconductor Corp

CMPZ5224B TR

частка акцыі: 162582

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.8V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 75µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CMPZ5260B TR
Central Semiconductor Corp

CMPZ5260B TR

частка акцыі: 102139

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 43V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 93 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 33V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CMHZ5246B TR
Central Semiconductor Corp

CMHZ5246B TR

частка акцыі: 148740

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 17 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 12V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CMOZ4V7 TR
Central Semiconductor Corp

CMOZ4V7 TR

частка акцыі: 191105

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CMHZ5232B TR
Central Semiconductor Corp

CMHZ5232B TR

частка акцыі: 120466

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.6V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 11 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 3V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CMHZ5249B TR
Central Semiconductor Corp

CMHZ5249B TR

частка акцыі: 130463

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 19V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 23 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 14V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CMDZ5224B TR
Central Semiconductor Corp

CMDZ5224B TR

частка акцыі: 175799

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.8V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 75µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CMSZ5247B TR
Central Semiconductor Corp

CMSZ5247B TR

частка акцыі: 109765

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 17V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 275mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 19 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 13V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CMHZ5266B TR
Central Semiconductor Corp

CMHZ5266B TR

частка акцыі: 171715

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 68V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 230 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 52V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CMSZ5238B TR
Central Semiconductor Corp

CMSZ5238B TR

частка акцыі: 180706

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 275mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 6.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CMPZ5242B TR
Central Semiconductor Corp

CMPZ5242B TR

частка акцыі: 156471

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 9.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CMKTC825A TR
Central Semiconductor Corp

CMKTC825A TR

частка акцыі: 51696

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 325mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms,

Ліст з жаданняў