Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя
CMOZ33L TR
Central Semiconductor Corp

CMOZ33L TR

частка акцыі: 192520

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 250 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 30V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CMDZ5230B TR
Central Semiconductor Corp

CMDZ5230B TR

частка акцыі: 181914

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 19 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CMPZ5225B TR
Central Semiconductor Corp

CMPZ5225B TR

частка акцыі: 153181

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 29 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CMPZ5254B TR
Central Semiconductor Corp

CMPZ5254B TR

частка акцыі: 168377

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 41 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 21V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CMZ5954B TR13
Central Semiconductor Corp

CMZ5954B TR13

частка акцыі: 109922

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 160V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 700 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 121.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CMHZ4697 TR
Central Semiconductor Corp

CMHZ4697 TR

частка акцыі: 170228

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 7.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
CLL4750A TR
Central Semiconductor Corp

CLL4750A TR

частка акцыі: 194554

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 35 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 20.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CZ5378B TR
Central Semiconductor Corp

CZ5378B TR

частка акцыі: 7070

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 100V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 76V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Ліст з жаданняў
CMZ5920B TR13
Central Semiconductor Corp

CMZ5920B TR13

частка акцыі: 168964

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 2 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CLL4736A TR
Central Semiconductor Corp

CLL4736A TR

частка акцыі: 110451

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.8V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 3.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CMZ5937B TR13
Central Semiconductor Corp

CMZ5937B TR13

частка акцыі: 180953

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 33 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 25.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
C1Z200B TR
Central Semiconductor Corp

C1Z200B TR

частка акцыі: 198193

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 200V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 1500 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 152V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 500mA,

Ліст з жаданняў
CMZ5920B BK
Central Semiconductor Corp

CMZ5920B BK

частка акцыі: 138357

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 2 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CMZ5932B TR13
Central Semiconductor Corp

CMZ5932B TR13

частка акцыі: 108144

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 14 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 15.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CMSZ5251B BK
Central Semiconductor Corp

CMSZ5251B BK

частка акцыі: 169909

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 275mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 29 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 17V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CMZ5951B BK
Central Semiconductor Corp

CMZ5951B BK

частка акцыі: 192392

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 120V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 360 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 91.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CMDZ5251B BK
Central Semiconductor Corp

CMDZ5251B BK

частка акцыі: 148398

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 29 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 17V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CMPZ5240B BK
Central Semiconductor Corp

CMPZ5240B BK

частка акцыі: 113701

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 17 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CLL4738A BK
Central Semiconductor Corp

CLL4738A BK

частка акцыі: 103925

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 4.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CLL4762A TR
Central Semiconductor Corp

CLL4762A TR

частка акцыі: 6699

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 82V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 200 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 62.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CLL5239B BK
Central Semiconductor Corp

CLL5239B BK

частка акцыі: 118280

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CMZ5947B BK
Central Semiconductor Corp

CMZ5947B BK

частка акцыі: 130264

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 82V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 160 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 62.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CMHZ4627
Central Semiconductor Corp

CMHZ4627

частка акцыі: 105953

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 1200 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
CMDZ5239B BK
Central Semiconductor Corp

CMDZ5239B BK

частка акцыі: 129747

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CMPZ5226B BK
Central Semiconductor Corp

CMPZ5226B BK

частка акцыі: 108085

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 28 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 25µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CZ5365B BK
Central Semiconductor Corp

CZ5365B BK

частка акцыі: 190920

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 36V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 11 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 27.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Ліст з жаданняў
CMSZ5253B BK
Central Semiconductor Corp

CMSZ5253B BK

частка акцыі: 164684

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 25V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 275mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 35 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 19V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CMZ5950B BK
Central Semiconductor Corp

CMZ5950B BK

частка акцыі: 105052

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 110V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 300 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 83.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CMPZ5231B BK
Central Semiconductor Corp

CMPZ5231B BK

частка акцыі: 128827

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 17 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CMDZ5234B TR
Central Semiconductor Corp

CMDZ5234B TR

частка акцыі: 144025

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CMDZ5260B BK
Central Semiconductor Corp

CMDZ5260B BK

частка акцыі: 111812

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 43V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 93 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 33V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CMOZ43L TR
Central Semiconductor Corp

CMOZ43L TR

частка акцыі: 166492

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 43V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 250 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 40V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CLL5242B BK
Central Semiconductor Corp

CLL5242B BK

частка акцыі: 188957

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 9.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CMOZ8V2 BK
Central Semiconductor Corp

CMOZ8V2 BK

частка акцыі: 164058

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 700nA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CMSZ5252B BK
Central Semiconductor Corp

CMSZ5252B BK

частка акцыі: 120747

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 275mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 33 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 18V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CMSZ5245B BK
Central Semiconductor Corp

CMSZ5245B BK

частка акцыі: 118802

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 275mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 16 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 11V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў