Друкаваць | Апісанне |
Статус часткі | Active |
---|---|
Тып FET | N-Channel |
Тэхналогія | SiCFET (Silicon Carbide) |
Адток да крыніцы напружання (Vdss) | 1200V |
Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C | 40A (Tc) |
Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 20A, 20V |
Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар | 2.6V @ 1mA (Typ) |
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs | 105nC @ 20V |
Vgs (макс.) | +25V, -10V |
Уваходная ёмістасць (Ciss) (макс.) @ Vds | 1700pF @ 400V |
Функцыя FET | - |
Рассейванне магутнасці (макс.) | 270W (Tc) |
Працоўная тэмпература | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Тып мацавання | Through Hole |
Пакет прылад пастаўшчыка | HiP247™ |
Пакет / чахол | TO-247-3 |
Статус RoHS | Rohs сумяшчальны |
---|---|
Ўзровень адчувальнасці вільгаці (MSL) | Не дастасавальна |
LifeCyle Business | Састарэлы / канец жыцця |
Акцыя катэгорыя | Даступны запас |