| Друкаваць | Апісанне |
| Статус часткі | Active |
|---|---|
| Тып FET | P-Channel |
| Тэхналогія | MOSFET (Metal Oxide) |
| Адток да крыніцы напружання (Vdss) | 20V |
| Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C | 2.2A (Tj) |
| Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
| Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар | 1.2V @ 250µA |
| Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| Vgs (макс.) | ±12V |
| Уваходная ёмістасць (Ciss) (макс.) @ Vds | 300pF @ 10V |
| Функцыя FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Рассейванне магутнасці (макс.) | 1.1W (Tj) |
| Працоўная тэмпература | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тып мацавання | Surface Mount |
| Пакет прылад пастаўшчыка | ChipFET™ |
| Пакет / чахол | 8-SMD, Flat Lead |
| Статус RoHS | Rohs сумяшчальны |
|---|---|
| Ўзровень адчувальнасці вільгаці (MSL) | Не дастасавальна |
| LifeCyle Business | Састарэлы / канец жыцця |
| Акцыя катэгорыя | Даступны запас |
