| Друкаваць | Апісанне |
| Статус часткі | Obsolete |
|---|---|
| Тып FET | P-Channel |
| Тэхналогія | MOSFET (Metal Oxide) |
| Адток да крыніцы напружання (Vdss) | 20V |
| Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C | 3.3A (Ta) |
| Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 3.3A, 10V |
| Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар | 3V @ 250µA |
| Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs | 3nC @ 5V |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Уваходная ёмістасць (Ciss) (макс.) @ Vds | 182pF @ 10V |
| Функцыя FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Рассейванне магутнасці (макс.) | 900mW (Ta) |
| Працоўная тэмпература | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тып мацавання | Surface Mount |
| Пакет прылад пастаўшчыка | 8-SOIC |
| Пакет / чахол | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Статус RoHS | Rohs сумяшчальны |
|---|---|
| Ўзровень адчувальнасці вільгаці (MSL) | Не дастасавальна |
| LifeCyle Business | Састарэлы / канец жыцця |
| Акцыя катэгорыя | Даступны запас |
