| Друкаваць | Апісанне |
| Статус часткі | Active |
|---|---|
| Тып FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Функцыя FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Адток да крыніцы напружання (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C | 204A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар | 4V @ 35.2mA |
| Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs | - |
| Уваходная ёмістасць (Ciss) (макс.) @ Vds | 23000pF @ 10V |
| Магутнасць - Макс | 1130W |
| Працоўная тэмпература | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Тып мацавання | - |
| Пакет / чахол | Module |
| Пакет прылад пастаўшчыка | Module |
| Статус RoHS | Rohs сумяшчальны |
|---|---|
| Ўзровень адчувальнасці вільгаці (MSL) | Не дастасавальна |
| LifeCyle Business | Састарэлы / канец жыцця |
| Акцыя катэгорыя | Даступны запас |
